| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| 1.1 中子照相简介 | 第10-11页 |
| 1.1.1 中子照相的原理 | 第10页 |
| 1.1.2 中子照相的分类 | 第10页 |
| 1.1.3 中子照相的应用前景 | 第10-11页 |
| 1.2 快中子照相研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 快中子照相装置组成及需要研究的主要问题 | 第12-13页 |
| 1.4 论文主要研究内容及结构 | 第13-14页 |
| 第二章 紧凑型中子发生器中子/γ辐射场特性的模拟研究 | 第14-30页 |
| 2.1 紧凑型D-T/D-D中子发生器结构及主要性能参数简介 | 第14-16页 |
| 2.2 紧凑型D-T中子发生器n-γ辐射场特性的模拟研究 | 第16-24页 |
| 2.2.1 MCNP程序简介 | 第16-17页 |
| 2.2.2 模拟模型的建立 | 第17-19页 |
| 2.2.3 模拟结果及讨论 | 第19-23页 |
| 2.2.4 小结 | 第23-24页 |
| 2.3 紧凑型D-D中子发生器n-γ辐射场特性模拟研究 | 第24-29页 |
| 2.3.1 模拟模型的建立 | 第24-25页 |
| 2.3.2 模拟结果及讨论 | 第25-28页 |
| 2.3.4 小结 | 第28-29页 |
| 2.4 本章总结 | 第29-30页 |
| 第三章 基于紧凑型D-T中子发生器的快中子照相准直屏蔽体设计及中子束特性模拟研究 | 第30-51页 |
| 3.1 中子辐射屏蔽材料选用 | 第30页 |
| 3.2 屏蔽体尺寸优化 | 第30-37页 |
| 3.2.1 模拟模型建立 | 第30-31页 |
| 3.2.2 模拟结果及分析 | 第31-36页 |
| 3.2.3 小结 | 第36-37页 |
| 3.3 屏蔽准直系统整体优化 | 第37-49页 |
| 3.3.1 整体模拟模型 | 第37-38页 |
| 3.3.2 模拟研究与优化 | 第38-43页 |
| 3.3.3 准直屏蔽体优化方案及主要参数 | 第43-45页 |
| 3.3.4 准直中子束特性模拟研究 | 第45-48页 |
| 3.3.5 小结 | 第48-49页 |
| 3.4 本章总结 | 第49-51页 |
| 第四章 基于紧凑型D-D中子发生器的快中子照相准直屏蔽系统设计及中子束特性模拟研究 | 第51-71页 |
| 4.1 中子辐射屏蔽材料选用 | 第51页 |
| 4.2 屏蔽体尺寸优化 | 第51-61页 |
| 4.2.1 模拟模型建立 | 第51-52页 |
| 4.2.2 模拟结果及分析 | 第52-60页 |
| 4.2.3 小结 | 第60-61页 |
| 4.3 屏蔽准直系统整体优化 | 第61-69页 |
| 4.3.1 实验方案设计 | 第61-62页 |
| 4.3.2 模拟结果及分析 | 第62-65页 |
| 4.3.3 最终结构屏蔽效果 | 第65-67页 |
| 4.3.4 准直中子束特性模拟研究 | 第67-69页 |
| 4.3.5 小结 | 第69页 |
| 4.4 本章总结 | 第69-71页 |
| 第五章 准直屏蔽体外辐射剂量测量 | 第71-75页 |
| 5.1 D-T中子发生器的屏蔽体外辐射剂量模拟研究 | 第71-72页 |
| 5.1.1 中子辐射剂量 | 第71-72页 |
| 5.1.2 γ辐射剂量 | 第72页 |
| 5.2 D-D中子发生器的屏蔽体外辐射剂量模拟研究 | 第72-74页 |
| 5.2.1 中子辐射剂量 | 第72-73页 |
| 5.2.2 γ辐射剂量 | 第73-74页 |
| 5.3 本章总结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 6.1 总结 | 第75-76页 |
| 6.2 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 学期间的研究成果 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
