| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 研究现状与发展趋势 | 第8-9页 |
| 1.3 主要工作与论文结构 | 第9-11页 |
| 第二章 智能功率模块简介 | 第11-17页 |
| 2.1 智能功率模块的结构 | 第11页 |
| 2.2 功率半导体器件 | 第11-15页 |
| 2.2.1 功率半导体器件的发展 | 第11-12页 |
| 2.2.2 功率MOSFET器件 | 第12-15页 |
| 2.3 控制电路基本框架图 | 第15-16页 |
| 2.4 本章小结 | 第16-17页 |
| 第三章 功率MOSFET损耗分析及分段控制理论介绍 | 第17-33页 |
| 3.1 功率MOSFET的损耗分析 | 第17-19页 |
| 3.1.1 导通损耗 | 第17-18页 |
| 3.1.2 开关损耗 | 第18-19页 |
| 3.2 目前常用于降低功率MOSFET损耗的方法 | 第19-24页 |
| 3.2.1 从器件结构入手降低功率MOSFET的导通损耗 | 第19-20页 |
| 3.2.2 利用屏蔽栅极功率MOSFET技术降低传导和开关损耗 | 第20-21页 |
| 3.2.3 降低栅极驱动电压以减少功率MOSFET的损耗 | 第21页 |
| 3.2.4 混合调制控制法 | 第21-24页 |
| 3.2.5 功率MOSFET分段控制法 | 第24页 |
| 3.3 功率MOSFET分段驱动 | 第24-32页 |
| 3.3.1 传统负载峰值电流检测法 | 第24-26页 |
| 3.3.2 改进负载峰值电流检测法 | 第26-29页 |
| 3.3.3 PWM控制信号占空比检测法 | 第29-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 控制、驱动及保护电路设计与仿真 | 第33-80页 |
| 4.1 基准电流源设计及仿真分析 | 第33-41页 |
| 4.2 放大器与比较器设计及仿真分析 | 第41-50页 |
| 4.2.1 运放的性能参数指标 | 第41-42页 |
| 4.2.2 运放电路设计指标 | 第42-44页 |
| 4.2.3 电路仿真 | 第44-49页 |
| 4.2.4 比较器 | 第49-50页 |
| 4.3 带隙基准电压源的原理及设计 | 第50-55页 |
| 4.3.1 带隙基准电压源的性能参数 | 第50-52页 |
| 4.3.2 仿真结果 | 第52-55页 |
| 4.4 输入接口电路 | 第55-57页 |
| 4.5 死区时间产生模块 | 第57-59页 |
| 4.6 高端驱动信号电平位移电路 | 第59-67页 |
| 4.7 低端驱动信号延迟电路 | 第67-68页 |
| 4.8 保护电路设计及仿真结果 | 第68-76页 |
| 4.8.1 欠压保护电路 | 第69-71页 |
| 4.8.2 过压保护电路 | 第71-72页 |
| 4.8.3 过温保护电路 | 第72-74页 |
| 4.8.4 过流保护电路 | 第74-76页 |
| 4.9 整体电路验证 | 第76-79页 |
| 4.10 本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 版图设计 | 第80-84页 |
| 5.1 版图设计基本规则 | 第80页 |
| 5.2 版图设计规则检查与对比 | 第80-81页 |
| 5.3 可用器件 | 第81-82页 |
| 5.4 整体版图设计 | 第82-84页 |
| 第六章 总结与展望 | 第84-85页 |
| 6.1 总结 | 第84页 |
| 6.2 展望 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
