| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 磁存储技术 | 第12-13页 |
| 1.1.1 磁存储技术的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.1.2 磁存储技术的概述 | 第13页 |
| 1.2 磁电阻效应 | 第13-17页 |
| 1.2.1 各向异性磁电阻（AMR） | 第13-14页 |
| 1.2.2 巨磁阻效应（GMR） | 第14-16页 |
| 1.2.3 隧穿磁电阻（TMR） | 第16-17页 |
| 1.3 自旋转移矩效应（STT） | 第17-19页 |
| 1.4 磁阻式随机存储器（MRAM） | 第19-20页 |
| 1.5 本文的主要工作及内容 | 第20-22页 |
| 第二章 磁性材料中的基本现象 | 第22-36页 |
| 2.1 物质的磁性 | 第22-25页 |
| 2.1.1 物质磁性的起源 | 第22页 |
| 2.1.2 物质磁性的分类 | 第22-25页 |
| 2.2 磁晶各向异性 | 第25-26页 |
| 2.2.1 磁晶各向异性能 | 第25页 |
| 2.2.2 磁晶各向异性等效场 | 第25-26页 |
| 2.3 退磁场与退磁因子 | 第26-34页 |
| 2.3.1 退磁场 | 第26-27页 |
| 2.3.2 退磁场的计算 | 第27-29页 |
| 2.3.3 退磁因子与退磁能 | 第29-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 动态方程与宏自旋模型 | 第36-54页 |
| 3.1 Landau-Lifshitz-Gilbert 方程 | 第36-41页 |
| 3.1.1 旋磁进动 | 第36-37页 |
| 3.1.2 Landau-Lifshitz 方程 | 第37-38页 |
| 3.1.3 Landau-Lifshitz-Gilbert 方程 | 第38-40页 |
| 3.1.4 归一化 LLG 方程 | 第40-41页 |
| 3.2 Macrospin 模型 | 第41-49页 |
| 3.2.1 有效场 | 第42-43页 |
| 3.2.2 阻尼项 | 第43-44页 |
| 3.2.3 热涨落 | 第44页 |
| 3.2.4 自旋转移力矩 | 第44-49页 |
| 3.3 双宏自旋模型 | 第49-50页 |
| 3.4 微磁模型 | 第50-51页 |
| 3.4.1 静态方法 | 第51页 |
| 3.4.2 动态方法（LLG 方程） | 第51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-54页 |
| 第四章 各向异性轴倾角对磁矩动态特性的影响 | 第54-60页 |
| 4.1 理论模型 | 第54-56页 |
| 4.1.1 模型图简述 | 第54-55页 |
| 4.1.2 理论基础 | 第55-56页 |
| 4.2 钉扎层磁矩倾角对磁矩动态特性的影响 | 第56-59页 |
| 4.2.1 钉扎层磁矩倾角对磁矩翻转时间的影响 | 第56-58页 |
| 4.2.2 钉扎层磁矩倾角对阈值电流密度的影响 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 形状各向异性对磁矩动态特性的影响 | 第60-66页 |
| 5.1 自由层磁矩倾角及 MTJ 尺寸对磁矩动态特性的影响 | 第60-64页 |
| 5.1.1 自由层磁矩倾角及 MTJ 尺寸对磁矩翻转时间的影响 | 第60-62页 |
| 5.1.2 不同自由层长度对磁化进动的影响 | 第62-63页 |
| 5.1.3 自由层磁矩倾角及 MTJ 尺寸对阈值电流密度的影响 | 第63-64页 |
| 5.1.4 本节小结 | 第64页 |
| 5.2 自由层磁矩倾角与钉扎层磁矩倾角对磁矩动态特性影响的对比 | 第64-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 工作总结 | 第66-67页 |
| 6.2 工作展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 硕士阶段科研成果 | 第76页 |
