摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
第1章 绪论 | 第13-25页 |
1.1 引言 | 第13-14页 |
1.2 金属配合物分子器件输运特性研究进展 | 第14-20页 |
1.2.1 金属配合物分子导线 | 第14-15页 |
1.2.2 金属配合物分子的开关效应 | 第15-17页 |
1.2.3 金属配合物分子的整流效应 | 第17-19页 |
1.2.4 金属配合物分子的负微分电阻效应 | 第19-20页 |
1.3 实验方法和理论计算的研究进展 | 第20-22页 |
1.3.1 机械可控断结法 | 第20-21页 |
1.3.2 电迁移法 | 第21页 |
1.3.3 扫描探针显微镜法 | 第21-22页 |
1.3.4 理论研究进展 | 第22页 |
1.4 本文的意义及研究内容 | 第22-25页 |
第2章 含Ru(Ⅱ)中心寡聚噻吩分子低温变温光电特性 | 第25-51页 |
2.1 引言 | 第25-26页 |
2.2 实验部分 | 第26-28页 |
2.2.1 研究对象 | 第26页 |
2.2.2 器件制备流程 | 第26-27页 |
2.2.3 电学特性测试 | 第27-28页 |
2.3 电学特性测试结果讨论 | 第28-32页 |
2.4 荷电输运机理分析 | 第32-42页 |
2.4.1. OTP-Ru分子的电子结构 | 第32-34页 |
2.4.2 OTP-Ru分子输运机理分析 | 第34-40页 |
2.4.3 Fowler-Nordheim理论分析 | 第40-41页 |
2.4.4 OTP-Ru器件整流行为及光伏效应机理分析 | 第41-42页 |
2.5 理论计算 | 第42-49页 |
2.5.1 计算模型与方法 | 第42-44页 |
2.5.2 计算结果分析与讨论 | 第44-49页 |
2.6 本章小结 | 第49-51页 |
第3章 几种含Ru(Ⅱ)中心寡聚噻吩分子器件荷电输运特性理论研究 | 第51-71页 |
3.1 引言 | 第51页 |
3.2 Ru配合物组分的引入和位置对器件输运特性影响 | 第51-58页 |
3.2.1 计算模型和计算方法 | 第51-53页 |
3.2.2 计算结果与讨论 | 第53-58页 |
3.3 噻吩链长度对器件输运特性影响 | 第58-65页 |
3.3.1 计算模型和计算方法 | 第58-59页 |
3.3.2 计算结果与讨论 | 第59-65页 |
3.4 器件耦合界面对器件输运特性影响 | 第65-70页 |
3.4.1 计算模型和计算方法 | 第65-66页 |
3.4.2 计算结果与讨论 | 第66-70页 |
3.5 本章小结 | 第70-71页 |
第4章 两种Ru(Ⅱ)配合物分子及包埋TiO_2薄膜荷电输运特性 | 第71-91页 |
4.1 引言 | 第71页 |
4.2 两种联吡啶Ru(Ⅱ)配合物分子薄膜输运特性研究 | 第71-82页 |
4.2.1 分子溶液及薄膜的制备 | 第71-72页 |
4.2.2 样品表征结果分析 | 第72-77页 |
4.2.3 分子薄膜器件输运机理讨论 | 第77-82页 |
4.3 两种Ru(Ⅱ)配合物分子包埋TiO_2薄膜输运特性 | 第82-89页 |
4.3.1 复合薄膜的制备 | 第82-83页 |
4.3.2 样品表征结果分析 | 第83-86页 |
4.3.3 复合薄膜输运机理讨论 | 第86-89页 |
4.4 本章小结 | 第89-91页 |
第5章 结论与展望 | 第91-93页 |
5.1 主要结论 | 第91-92页 |
5.2 研究展望 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-105页 |
致谢 | 第105-107页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第107页 |