| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8页 |
| 1.2 寿命控制技术的研究进展 | 第8-12页 |
| 1.3 本论文的主要内容 | 第12-13页 |
| 2 高压FSRD的结构与静动态特性分析 | 第13-22页 |
| 2.1 结构与工作原理 | 第13-14页 |
| 2.1.1 结构特点 | 第13-14页 |
| 2.1.2 工作原理 | 第14页 |
| 2.2 静、动态特性 | 第14-17页 |
| 2.2.1 正向导通特性 | 第14-15页 |
| 2.2.2 反向击穿特性 | 第15页 |
| 2.2.3 反向恢复特性 | 第15-17页 |
| 2.3 少子寿命、能级与器件特性的关系 | 第17-21页 |
| 2.3.1 少子寿命与能级位置的关系 | 第17-19页 |
| 2.3.2 器件特性对少子寿命的要求 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 电子辐照对高压FSRD特性的影响 | 第22-32页 |
| 3.1 仿真工具介绍 | 第22-23页 |
| 3.1.1 CASINO软件介绍 | 第22页 |
| 3.1.2 DESSIS中的辐照数值模型 | 第22-23页 |
| 3.2 电子辐照技术寿命控制机理及缺陷分布 | 第23-25页 |
| 3.2.1 电子辐照在硅中的缺陷分布 | 第23-24页 |
| 3.2.2 器件结构模型与缺陷分布模型 | 第24-25页 |
| 3.3 电子辐照对FSRD电学特性的影响 | 第25-31页 |
| 3.3.1 p~+n~-nn~+二极管 | 第25-29页 |
| 3.3.2 p~+n~-n~+二极管 | 第29-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 4 H~+与电子辐照相结合对高压FSRD特性的影响 | 第32-45页 |
| 4.1 H~+辐照在硅中产生的缺陷分布 | 第32-35页 |
| 4.2 H~+与电子辐照相结合对FSRD特性的影响 | 第35-41页 |
| 4.2.1 p~+n~-nn~+二极管 | 第35-38页 |
| 4.2.2 p~+n~-n~+二极管 | 第38-41页 |
| 4.3 不同辐照条件下FSRD特性的对比分析 | 第41-44页 |
| 4.3.1 抗动态雪崩特性 | 第41-42页 |
| 4.3.2 浪涌电流特性 | 第42-43页 |
| 4.3.3 特性折衷曲线 | 第43-44页 |
| 4.4 高压FSRD辐照方式的选择 | 第44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 结论 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 附录:在读期间发表的论文 | 第50页 |