| 目录 | 第2-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 ：绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 CMOS图像传感器发展概述 | 第7页 |
| 1.2 CMOS图像传感器原理 | 第7-9页 |
| 1.2.1 CMOS图像传感器成像系统基本原理 | 第7-8页 |
| 1.2.2 CMOS图像传感器的基本架构 | 第8-9页 |
| 1.3 CMOS图像传感器的像素单元 | 第9-12页 |
| 1.3.1 无源像素传感器 | 第9-10页 |
| 1.3.2 有源像素传感器 | 第10-12页 |
| 1.4 CCD与CMOS图像传感器的比较 | 第12-14页 |
| 第二章 ：CMOS图像传感器制造工艺及其影响 | 第14-19页 |
| 2.1 CMOS图像传感器制造工艺 | 第14-15页 |
| 2.1.1 CMOS图像传感器芯片的制造工艺 | 第14页 |
| 2.1.2 CMOS图像传感器滤色层和微透镜的制造工艺 | 第14-15页 |
| 2.2 CMOS制造工艺对图像传感器性能的影响 | 第15-19页 |
| 2.2.1 光谱响应和灵敏度 | 第16-17页 |
| 2.2.2 漏电流 | 第17-18页 |
| 2.2.3 工作电压的减小 | 第18-19页 |
| 第三章 ：55nm CMOS图像传感器工艺集成 | 第19-45页 |
| 3.1 55nm CMOS 1P4M基准工艺流程 | 第19-29页 |
| 3.1.1 55nm CMOS前道工艺 | 第19-26页 |
| 3.1.2 55nm CMOS后道工艺 | 第26-29页 |
| 3.2 55nm CMOS图像传感器工艺集成 | 第29-44页 |
| 3.2.1 55nm CMOS图像传感器的器件需求 | 第29-30页 |
| 3.2.2 55nm CMOS图像传感器的工艺需求 | 第30-36页 |
| 3.2.2.1 55nm CIS像素单元的电路结构分析 | 第30-31页 |
| 3.2.2.2 55nm CIS像素单元的注入工艺需求 | 第31-32页 |
| 3.2.2.3 55nm CIS像素单元的接触孔工艺需求 | 第32-36页 |
| 3.2.3 55nm CMOS图像传感器工艺开发 | 第36-44页 |
| 3.2.3.1 图像传感器像素单元注入工艺 | 第36-39页 |
| 3.2.3.2 图像传感器像素单元接触孔工艺 | 第39-44页 |
| 3.3 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 ：55nm CIS工艺对像素性能的影响 | 第45-57页 |
| 4.1 像素单元关键参数和测试方法 | 第45-50页 |
| 4.1.1 像素单元感光原理和关键参数 | 第45-48页 |
| 4.1.2 像素单元灵敏度和暗电流评估方法 | 第48-50页 |
| 4.1.3 像素单元输出波形 | 第50页 |
| 4.2 Sensor注入对像素性能的影响 | 第50-54页 |
| 4.2.1 Sensor注入能量的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.2 Sensor注入剂量对像素性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.3 PIN注入对像素性能响 | 第54-56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 第五章 ：总结与展望 | 第57-58页 |
| 5.1 结论 | 第57页 |
| 5.2 进一步的研究方向 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
