致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
目录 | 第10-13页 |
图目录 | 第13-15页 |
表目录 | 第15-16页 |
第1章 绪论 | 第16-34页 |
1.1 集成电路发展概况 | 第16-17页 |
1.2 纳米工艺下测试结构及成品率问题的新来源 | 第17-23页 |
1.2.1 新材料的引入 | 第18-20页 |
1.2.2 新器件的引入 | 第20-21页 |
1.2.3 工艺复杂度的增加 | 第21页 |
1.2.4 工艺偏差的影响增大 | 第21-23页 |
1.3 成品率问题及其研究现状 | 第23-25页 |
1.4 成品率测试结构的研究意义 | 第25-30页 |
1.4.1 测试结构在产品生命周期各个阶段的应用 | 第25-26页 |
1.4.2 测试结构的各种用途 | 第26-30页 |
1.4.2.1 提取参数 | 第27-28页 |
1.4.2.2 检测并量化随机缺陷 | 第28-29页 |
1.4.2.3 确定产品可靠性 | 第29页 |
1.4.2.4 优化版图设计规则 | 第29页 |
1.4.2.5 评估工艺设备性能 | 第29-30页 |
1.5 成品率测试结构研究现状 | 第30-32页 |
1.6 论文创新点与论文结构 | 第32-34页 |
第2章 成品率预测与测试结构 | 第34-48页 |
2.1 成品率模型 | 第34-36页 |
2.2 测试结构中常见缺陷类型及关键面积计算 | 第36-42页 |
2.2.1 常见缺陷类型 | 第37-38页 |
2.2.2 关键面积计算 | 第38-42页 |
2.3 常见测试结构 | 第42-47页 |
2.3.1 通孔链测试结构 | 第42-43页 |
2.3.2 电学线宽测试结构 | 第43页 |
2.3.3 蛇形测试结构 | 第43-45页 |
2.3.4 梳状测试结构 | 第45页 |
2.3.5 蛇形/梳状测试结构 | 第45-46页 |
2.3.6 DRAM、SRAM和晶体管阵列测试结构 | 第46-47页 |
2.4 本章小结 | 第47-48页 |
第3章 考虑置信度与估计精度的通孔链测试结构设计方法 | 第48-72页 |
3.1 研究背景 | 第48-49页 |
3.2 通孔失效机理和通孔相关的成品率模型 | 第49-51页 |
3.3 考虑置信水平和估计精度的通孔链设计 | 第51-56页 |
3.3.1 总通孔数目 | 第52-53页 |
3.3.2 每个通孔链中的通孔数目 | 第53-55页 |
3.3.3 最优的N和n的求解 | 第55-56页 |
3.4 仿真实验 | 第56-59页 |
3.5 晶圆实验 | 第59-69页 |
3.5.1 试验用通孔测试结构实现 | 第59-61页 |
3.5.2 通孔链测试结构的测试 | 第61-66页 |
3.5.2.1 一般测试流程与测试设备 | 第61-63页 |
3.5.2.2 测试方法 | 第63-66页 |
3.5.3 测试结果数据分析 | 第66-69页 |
3.6 设计讨论 | 第69-70页 |
3.7 本章小节 | 第70-72页 |
第4章 考虑置信度和估计精度的蛇形测试结构设计方法 | 第72-95页 |
4.1 研究背景 | 第72-73页 |
4.2 金属失效机理和成品率模型 | 第73-76页 |
4.3 考虑置信水平和估计精度的蛇形测试结构设计 | 第76-82页 |
4.3.1 蛇形测试结构的总面积 | 第77-79页 |
4.3.2 单个蛇形测试结构面积的确定 | 第79-81页 |
4.3.3 最优At和As的确定 | 第81-82页 |
4.4 仿真实验 | 第82-88页 |
4.4.1 仿真方法介绍 | 第82-85页 |
4.4.2 仿真数据结果 | 第85-88页 |
4.5 晶圆实验 | 第88-93页 |
4.6 本章小结 | 第93-95页 |
第5章 缺陷群聚效应下栅氧短路缺陷密度的伪晶体管阵列提取法设计 | 第95-111页 |
5.1 研究背景 | 第95-96页 |
5.2 栅氧化层短路缺陷原理及模型 | 第96-101页 |
5.3 考虑缺陷群聚效应下的栅氧化层短路缺陷密度提取 | 第101-102页 |
5.4 提出的新测试结构架构与其测试 | 第102-106页 |
5.5 实验结果和讨论 | 第106-109页 |
5.6 本章小结 | 第109-111页 |
第6章 总结与展望 | 第111-113页 |
6.1 论文总结 | 第111-112页 |
6.2 工作展望 | 第112-113页 |
参考文献 | 第113-123页 |
作者筒历及在学期间所取得的科研成果 | 第123页 |