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纳米工艺集成电路成品率专用测试结构设计方法研究

致谢第5-6页
摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
目录第10-13页
图目录第13-15页
表目录第15-16页
第1章 绪论第16-34页
    1.1 集成电路发展概况第16-17页
    1.2 纳米工艺下测试结构及成品率问题的新来源第17-23页
        1.2.1 新材料的引入第18-20页
        1.2.2 新器件的引入第20-21页
        1.2.3 工艺复杂度的增加第21页
        1.2.4 工艺偏差的影响增大第21-23页
    1.3 成品率问题及其研究现状第23-25页
    1.4 成品率测试结构的研究意义第25-30页
        1.4.1 测试结构在产品生命周期各个阶段的应用第25-26页
        1.4.2 测试结构的各种用途第26-30页
            1.4.2.1 提取参数第27-28页
            1.4.2.2 检测并量化随机缺陷第28-29页
            1.4.2.3 确定产品可靠性第29页
            1.4.2.4 优化版图设计规则第29页
            1.4.2.5 评估工艺设备性能第29-30页
    1.5 成品率测试结构研究现状第30-32页
    1.6 论文创新点与论文结构第32-34页
第2章 成品率预测与测试结构第34-48页
    2.1 成品率模型第34-36页
    2.2 测试结构中常见缺陷类型及关键面积计算第36-42页
        2.2.1 常见缺陷类型第37-38页
        2.2.2 关键面积计算第38-42页
    2.3 常见测试结构第42-47页
        2.3.1 通孔链测试结构第42-43页
        2.3.2 电学线宽测试结构第43页
        2.3.3 蛇形测试结构第43-45页
        2.3.4 梳状测试结构第45页
        2.3.5 蛇形/梳状测试结构第45-46页
        2.3.6 DRAM、SRAM和晶体管阵列测试结构第46-47页
    2.4 本章小结第47-48页
第3章 考虑置信度与估计精度的通孔链测试结构设计方法第48-72页
    3.1 研究背景第48-49页
    3.2 通孔失效机理和通孔相关的成品率模型第49-51页
    3.3 考虑置信水平和估计精度的通孔链设计第51-56页
        3.3.1 总通孔数目第52-53页
        3.3.2 每个通孔链中的通孔数目第53-55页
        3.3.3 最优的N和n的求解第55-56页
    3.4 仿真实验第56-59页
    3.5 晶圆实验第59-69页
        3.5.1 试验用通孔测试结构实现第59-61页
        3.5.2 通孔链测试结构的测试第61-66页
            3.5.2.1 一般测试流程与测试设备第61-63页
            3.5.2.2 测试方法第63-66页
        3.5.3 测试结果数据分析第66-69页
    3.6 设计讨论第69-70页
    3.7 本章小节第70-72页
第4章 考虑置信度和估计精度的蛇形测试结构设计方法第72-95页
    4.1 研究背景第72-73页
    4.2 金属失效机理和成品率模型第73-76页
    4.3 考虑置信水平和估计精度的蛇形测试结构设计第76-82页
        4.3.1 蛇形测试结构的总面积第77-79页
        4.3.2 单个蛇形测试结构面积的确定第79-81页
        4.3.3 最优At和As的确定第81-82页
    4.4 仿真实验第82-88页
        4.4.1 仿真方法介绍第82-85页
        4.4.2 仿真数据结果第85-88页
    4.5 晶圆实验第88-93页
    4.6 本章小结第93-95页
第5章 缺陷群聚效应下栅氧短路缺陷密度的伪晶体管阵列提取法设计第95-111页
    5.1 研究背景第95-96页
    5.2 栅氧化层短路缺陷原理及模型第96-101页
    5.3 考虑缺陷群聚效应下的栅氧化层短路缺陷密度提取第101-102页
    5.4 提出的新测试结构架构与其测试第102-106页
    5.5 实验结果和讨论第106-109页
    5.6 本章小结第109-111页
第6章 总结与展望第111-113页
    6.1 论文总结第111-112页
    6.2 工作展望第112-113页
参考文献第113-123页
作者筒历及在学期间所取得的科研成果第123页

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