| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-18页 |
| 第二章 化学机械研磨 | 第18-40页 |
| 2.1 集成电路中的平坦化 | 第18-19页 |
| 2.2 集成电路工艺中的 CMP | 第19-21页 |
| 2.3 氧化物 CMP 的抛光机制 | 第21-24页 |
| 2.4 CMP 的缺陷 | 第24-26页 |
| 2.5 CMP 后清洗技术 | 第26-29页 |
| 2.6 CMP 的设备与耗材 | 第29-31页 |
| 2.7 CMP 工艺中的量测 | 第31-39页 |
| 2.7.1 集成电路量测 | 第31-35页 |
| 2.7.2 硅片表面微粗糙度的量测 | 第35-39页 |
| 2.8 小结 | 第39-40页 |
| 第三章 微粗糙度与粒子缺陷的联系 | 第40-49页 |
| 3.1 硅片表面粒子缺陷的量测 | 第40-42页 |
| 3.2 硅片表面粒子缺陷的分析 | 第42-45页 |
| 3.3 微粗糙度对粒子缺陷量测的影响 | 第45-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 化学机械研磨对硅片表面微粗糙度的影响 | 第49-72页 |
| 4.1 化学机械研磨平衡 | 第49-52页 |
| 4.2 Post-clean 对 Haze 值的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 机械研磨变化带来的影响 | 第53-60页 |
| 4.3.1 研磨压力变化 | 第53-57页 |
| 4.3.2 研磨盘转速变化 | 第57-60页 |
| 4.4 化学研磨变化带来的影响 | 第60-65页 |
| 4.4.1 研磨液流量变化 | 第60-63页 |
| 4.4.2 研磨液配比变化 | 第63-65页 |
| 4.5 微粗糙度研究的意义 | 第65-71页 |
| 4.5.1 微粗糙度与 LPD 的关系 | 第65-67页 |
| 4.5.2 化学机械研磨对于 LPD 的参数设置 | 第67-71页 |
| 4.6 小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结束语 | 第72-75页 |
| 5.1 主要工作与创新 | 第72-73页 |
| 5.2 后续研究工作 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第79页 |