| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 Si基MOSFET特征尺寸的缩小 | 第15-17页 |
| 1.2 金属栅/高K/GaAs技术 | 第17-19页 |
| 1.3 高K/GaAs结构的发展现状 | 第19-20页 |
| 1.4 论文结构及安排 | 第20-23页 |
| 第二章 高K栅介质和金属电极的制备方法 | 第23-31页 |
| 2.1 传统的薄膜淀积方式 | 第23-25页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第23页 |
| 2.1.2 有机物金属化学气相淀积 | 第23-24页 |
| 2.1.3 分子束外延 | 第24-25页 |
| 2.2 原子层淀积 | 第25-29页 |
| 2.2.1 ALD对于前驱体的要求 | 第26页 |
| 2.2.2 ALD淀积流程 | 第26-28页 |
| 2.2.3 ALD的特点 | 第28页 |
| 2.2.4 原子层淀积与传统的淀积方法的比较 | 第28-29页 |
| 2.3 栅极金属和背面欧姆接触Au/Ge/Ni/Au的制备方法 | 第29-30页 |
| 2.3.1 栅金属电极 | 第29页 |
| 2.3.2 背面欧姆接触 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 高K/GaAs MOS电容制备以及质量表征方法 | 第31-47页 |
| 3.1 GaAs MOS电容结构 | 第31-32页 |
| 3.2 高K/GaAs MOS电容的制备流程 | 第32-36页 |
| 3.2.1 GaAs表面预处理 | 第33页 |
| 3.2.2 栅介质淀积和淀积后退火 | 第33-36页 |
| 3.2.3 金属电极的制备 | 第36页 |
| 3.3 高K/GaAs界面和高K介质的电学表征方法 | 第36-39页 |
| 3.3.1 电容-电压法和电导-电压法 | 第36-38页 |
| 3.3.2 电流-电压法和隧穿机制 | 第38-39页 |
| 3.4 高K栅介质的物理学表征方法 | 第39-45页 |
| 3.4.1 薄膜厚度的表征：椭圆偏振仪 | 第39-41页 |
| 3.4.2 X射线光电子能谱分析 | 第41-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 HfAlO/GaAs和HfO_2/Al_2O_3/GaAs MOS电容特性分析 | 第47-61页 |
| 4.1 变频C-V测试 | 第47-51页 |
| 4.2 I-V测试 | 第51-54页 |
| 4.3 XPS测试 | 第54-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-65页 |
| 5.1 总结 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 作者简介 | 第71-72页 |
