| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 纳米材料技术 | 第8-9页 |
| 1.2 纳米复合材料 | 第9-10页 |
| 1.3 纳米复合材料的光电特性应用 | 第10-18页 |
| 1.3.1 纳米复合材料在光催化中的应用 | 第11-14页 |
| 1.3.2 纳米复合材料在光电探测器件中的应用 | 第14-18页 |
| 1.4 本文选题依据与研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 材料表征手段 | 第19-25页 |
| 2.1 扫描电子显微镜技术 | 第19-20页 |
| 2.2 X射线衍射谱测量技术 | 第20-21页 |
| 2.3 光致发光谱测量技术 | 第21-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 Si/TiO_2纳米复合光电材料的制备及表征 | 第25-34页 |
| 3.1 Si/TiO_2纳米复合材料的制备 | 第26-29页 |
| 3.1.1 银辅助化学刻蚀制备Si纳米线 | 第26-29页 |
| 3.1.2 Si/TiO_2纳米复合材料的制备 | 第29页 |
| 3.2 退火处理对Si/TiO_2纳米复合结构表征与分析 | 第29-31页 |
| 3.3 Si/TiO_2纳米复合材料的光催化性能研究 | 第31-33页 |
| 3.3.1 光催化降解甲基橙溶液实验 | 第31-32页 |
| 3.3.2 光催化降解甲基橙溶液效率的研究 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 InP/ZnO纳米复合结构制备及光电特性研究 | 第34-46页 |
| 4.1 多孔InP材料的制备与表征 | 第34-38页 |
| 4.1.1 电化学刻蚀制备多孔InP材料 | 第34-35页 |
| 4.1.2 调节刻蚀条件对InP多孔材料的影响 | 第35-37页 |
| 4.1.3 多孔结构的形成机理 | 第37-38页 |
| 4.2 硫钝化InP多孔材料及其发光性质研究 | 第38-41页 |
| 4.2.1 InP多孔材料的硫钝化处理 | 第38页 |
| 4.2.2 InP材料钝化的反应机理 | 第38-39页 |
| 4.2.3 硫钝化对InP多孔材料发光性质影响 | 第39-41页 |
| 4.3 InP/ZnO纳米复合材料的制备与表征 | 第41-43页 |
| 4.3.1 InP/ZnO纳米复合材料的制备 | 第41页 |
| 4.3.2 InP/ZnO纳米复合材料的表征 | 第41-43页 |
| 4.4 InP/ZnO纳米复合材料的光电性质分析 | 第43-45页 |
| 4.4.1 InP/ZnO纳米复合材料的发光性质分析 | 第43页 |
| 4.4.2 InP/ZnO纳米复合材料的光电性质分析 | 第43-45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 结论与展望 | 第46-48页 |
| 结论 | 第46页 |
| 研究展望 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 硕士期间的论文成果 | 第52页 |
