| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 RF LDMOS晶体管研究热点 | 第10-13页 |
| 1.1.1 提高输出功率 | 第10-11页 |
| 1.1.2 提高器件漏极效率 | 第11-12页 |
| 1.1.3 提高功率增益 | 第12页 |
| 1.1.4 增强器件可靠性 | 第12-13页 |
| 1.1.5 RF LDMOS模型的建立 | 第13页 |
| 1.2 RF LDMOS功率晶体管研究意义 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文的章节安排 | 第14-15页 |
| 第二章 RF LDMOS晶体管的结构与设计 | 第15-33页 |
| 2.1 RF LDMOS晶体管的设计优化技术 | 第15-19页 |
| 2.1.1 RESURF技术 | 第15-17页 |
| 2.1.2 场板技术 | 第17-18页 |
| 2.1.3 变掺杂技术 | 第18-19页 |
| 2.2 RF LDMOS结构 | 第19-21页 |
| 2.2.1 RF LDMOS基本结构 | 第19-20页 |
| 2.2.2 改进的RF LDMOS结构 | 第20-21页 |
| 2.3 RF LDMOS仿真优化 | 第21-31页 |
| 2.3.1 阈值电压的仿真优化 | 第22-24页 |
| 2.3.2 双区LDD的优化 | 第24-27页 |
| 2.3.3 金属场板的优化 | 第27-31页 |
| 2.4 RF LDMOS版图设计 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 RF LDMOS功率晶体管测试与阻抗匹配 | 第33-48页 |
| 3.1 器件在片测试 | 第33-38页 |
| 3.1.1 转移特性测试 | 第33-34页 |
| 3.1.2 直流输出特性测试 | 第34页 |
| 3.1.3 小信号S参数测试 | 第34-36页 |
| 3.1.4 大信号测试 | 第36-38页 |
| 3.2 RF LDMOS器件的阻抗匹配 | 第38-44页 |
| 3.2.1 阻抗匹配 | 第38-39页 |
| 3.2.2 匹配的实现 | 第39-43页 |
| 3.2.3 RF LDMOS的预匹配 | 第43-44页 |
| 3.3 封装器件测试 | 第44-47页 |
| 3.3.1 RF LDMOS晶体管功率测试 | 第44-46页 |
| 3.3.2 RF LDMOS晶体管ESD测试 | 第46页 |
| 3.3.3 击穿电压测试 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 RF LDMOS功率晶体管模型研究 | 第48-65页 |
| 4.1 RF LDMOS功率晶体管小信号模型研究 | 第48-56页 |
| 4.1.1 小信号等效电路模型 | 第48-49页 |
| 4.1.2 寄生参数剥离技术提取本征参数 | 第49-51页 |
| 4.1.3 寄生参数提取 | 第51-55页 |
| 4.1.4 小信号等效电路模型参数优化 | 第55-56页 |
| 4.2 RF LDMOS功率晶体管的大信号模型研究 | 第56-63页 |
| 4.2.1 RF LDMOS建模方法 | 第57-59页 |
| 4.2.2 非线性电流模型 | 第59-62页 |
| 4.2.3 非线性电容模型 | 第62-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |