| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 纳米材料简介 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米材料铷(Rb)和铯(Cs)的性质及研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 纳米材料钽(Ta)的性质及研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4 本文选题依据及主要内容 | 第15-17页 |
| 第2章 理论基础和方法 | 第17-28页 |
| 2.1 固体能带理论 | 第17-19页 |
| 2.2 键序-键长-键强(BOLS)关联理论 | 第19-21页 |
| 2.2.1 晶格周期性破坏引起化学键收缩和势阱修正 | 第19-20页 |
| 2.2.2 键弛豫理论的数学形式 | 第20-21页 |
| 2.3 化学键-能带-表面势垒(3B)关联理论 | 第21-23页 |
| 2.3.1 化学键及四面体成键 | 第21-22页 |
| 2.3.2 价电子DOS的多样性 | 第22-23页 |
| 2.4 光电子能谱分析方法 | 第23-25页 |
| 2.4.1 X射线光电子能谱(XPS) | 第23-24页 |
| 2.4.2 选区光电子谱(ZPS) | 第24-25页 |
| 2.5 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算 | 第25-27页 |
| 2.5.1 密度泛函理论的原理 | 第25-26页 |
| 2.5.2 局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第26页 |
| 2.5.3 计算软件简介 | 第26-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 铷(Rb)和铯(Cs)表面的解谱分析 | 第28-36页 |
| 3.1 表面芯能级偏移和解谱规则 | 第28-30页 |
| 3.2 Rb(110)和Cs(110)面的芯能级偏移 | 第30-32页 |
| 3.3 Rb(110)和Cs(110)面的表面效应 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 铷(Rb)和铯(Cs)纳米团簇的尺寸效应 | 第36-48页 |
| 4.1 Rb和Cs原子团簇的结构 | 第36-37页 |
| 4.2 Rb和Cs纳米团簇表面原子的芯能级偏移 | 第37-41页 |
| 4.3 Rb和Cs纳米团簇的尺寸效应 | 第41-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 钽(Ta)光洁表面吸附氧 | 第48-60页 |
| 5.1 Ta光洁表面的芯能级偏移 | 第48-50页 |
| 5.2 Ta表面吸附氧的结构 | 第50-52页 |
| 5.3 Ta表面氧化的电荷分析 | 第52-54页 |
| 5.4 Ta表面氧化的ZPS分析 | 第54-55页 |
| 5.5 Ta表面氧化的DOS分析 | 第55-59页 |
| 5.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第6章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 工作总结 | 第60页 |
| 6.2 工作展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历与攻读硕士期间发表的学术论文 | 第71页 |
