| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·CMOS光电探测器的发展历程 | 第11-12页 |
| ·RCE光电探测器的现状及发展方向 | 第12-15页 |
| ·RCE光电探测器的现状 | 第12-14页 |
| ·RCE光电探测器未来的发展方向 | 第14-15页 |
| ·论文主要的研究内容及研究意义 | 第15-17页 |
| 第二章 CMOS RCE光电探测器基本原理及SOI基新结构的构建 | 第17-30页 |
| ·光电探测器的工作原理 | 第17-19页 |
| ·光电效应 | 第17-19页 |
| ·常见CMOS光电探测器类型及工作原理 | 第19-20页 |
| ·MSM光电探测器 | 第19页 |
| ·PIN光电探测器 | 第19页 |
| ·雪崩光电二极管 | 第19-20页 |
| ·波导型光电探测器 | 第20页 |
| ·RCE光电探测器的基本结构及工作原理 | 第20-26页 |
| ·RCE光电探测器的基本结构 | 第20-21页 |
| ·RCE光电探测器的基本类型 | 第21-22页 |
| ·RCE光电探测器的基本原理 | 第22-23页 |
| ·光学传输矩阵法的应用 | 第23-26页 |
| ·SOI基CMOS RCE光电探测器新结构的提出 | 第26-29页 |
| ·器件的材料选取 | 第26-28页 |
| ·DBR反射镜的设计 | 第28-29页 |
| ·SOI基CMOS RCE光电探测器的基本结构 | 第29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 SOI基CMOS RCE光电探测器工艺分析与数值模型仿真 | 第30-45页 |
| ·SOI基CMOS RCE光电探测器的工艺流程 | 第30-33页 |
| ·器件结构和工艺参数的确定 | 第33-34页 |
| ·SOI基CMOS RCE光电探测器的数值模型仿真 | 第34-43页 |
| ·DBR反射镜的反射率 | 第34-36页 |
| ·量子效率 | 第36-40页 |
| ·驻波效应 | 第40-41页 |
| ·谐振增强效应 | 第41-43页 |
| ·优化的SOI基CMOS RCE光电探测器结构 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第四章 SOI基CMOS RCE光电探测器的TCAD仿真 | 第45-51页 |
| ·半导体器件模拟软件TCAD简介 | 第45-46页 |
| ·SOI基RCE光电探测器的TCAD仿真结果 | 第46-47页 |
| ·量子效率 | 第46-47页 |
| ·响应度 | 第47页 |
| ·器件TCAD仿真与数值模型仿真结果对比分析 | 第47-49页 |
| ·有无谐振腔的仿真结果对比 | 第48页 |
| ·改变反射镜对数及条栅宽度的仿真结果对比 | 第48-49页 |
| ·栅宽及栅宽间距比变化的仿真结果对比 | 第49页 |
| ·条栅型和网格型RCE光电探测器的对比分析 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第五章 SOI基CMOS RCE光电探测器的版图设计 | 第51-58页 |
| ·版图设计工具简介 | 第51-54页 |
| ·Virtuoso的版图编辑器 | 第51-53页 |
| ·验证工具Calibre | 第53-54页 |
| ·器件的版图设计 | 第54-56页 |
| ·版图设计规则的确定 | 第54-55页 |
| ·器件版图设计 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 | 第65页 |
