氢化物气相外延GaN材料性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-38页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物概述 | 第12-14页 |
| §1.2 GaN的能带结构和光学性质 | 第14-18页 |
| §1.2.1 能带结构 | 第14-16页 |
| §1.2.2 光学性质 | 第16-18页 |
| §1.3 GaN的结构和基本性质 | 第18-22页 |
| §1.3.1 晶格结构 | 第18-19页 |
| §1.3.2 物理特性 | 第19-20页 |
| §1.3.3 化学性质 | 第20-21页 |
| §1.3.4 电学性质 | 第21-22页 |
| §1.4 GaN基半导体材料的生长 | 第22-31页 |
| §1.4.1 异质外延衬底 | 第22-26页 |
| §1.4.2 GaN基材料异质外延技术 | 第26-31页 |
| §1.5 论文的主要内容 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-38页 |
| 第二章 HVPE生长GaN工艺研究 | 第38-68页 |
| §2.1 引言 | 第38-39页 |
| §2.2 HVPE技术的发展历程 | 第39-41页 |
| §2.3 HVPE生长系统及原理 | 第41-42页 |
| §2.4 HVPE生长GaN条件优化 | 第42-54页 |
| §2.4.1 Ⅴ/Ⅲ比的影响 | 第42-44页 |
| §2.4.2 生长温度的影响 | 第44-45页 |
| §2.4.3 镓源温度的影响 | 第45-46页 |
| §2.4.4 氮气载气流量的影响 | 第46-49页 |
| §2.4.5 低温成核层的影响 | 第49-54页 |
| §2.5 优化工艺生长GaN性质表征 | 第54-59页 |
| §2.5.1 晶体质量 | 第54-55页 |
| §2.5.2 光致发光谱 | 第55-58页 |
| §2.5.3 拉曼光谱 | 第58-59页 |
| §2.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 第三章 HVPE-GaN膜的位错研究 | 第68-96页 |
| §3.1 引言 | 第68-70页 |
| §3.2 选择性化学腐蚀法研究GaN膜的位错 | 第70-80页 |
| §3.2.1 实验 | 第70页 |
| §3.2.2 HVPE-GaN膜表面形貌 | 第70-71页 |
| §3.2.3 Ⅲ族氮化物表面腐蚀坑形成机理 | 第71-73页 |
| §3.2.4 腐蚀后GaN表面形貌分析 | 第73-75页 |
| §3.2.5 实验条件的影响 | 第75-77页 |
| §3.2.6 其它晶体缺陷研究 | 第77-78页 |
| §3.2.7 GaN/蓝宝石界面研究 | 第78-80页 |
| §3.3 高分辨X射线衍射技术计算位错密度 | 第80-90页 |
| §3.3.1 理论基础介绍 | 第80-82页 |
| §3.3.2 HRXRD测试及位错密度计算 | 第82-90页 |
| §3.3.2.1 HRXRD测试 | 第82页 |
| §3.3.2.2 数据处理及计算 | 第82-90页 |
| §3.4 本章小结 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 第四章 HVPE生长GaN纳米线研究 | 第96-108页 |
| §4.1 引言 | 第96-97页 |
| §4.2 实验 | 第97页 |
| §4.3 结果表征及分析 | 第97-104页 |
| §4.3.1 生长参数的影响 | 第97-100页 |
| §4.3.2 微结构分析 | 第100-102页 |
| §4.3.3 光学特性研究 | 第102-104页 |
| §4.4 本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 第五章 结论 | 第108-110页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
