| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 目录 | 第11-15页 |
| 第一章 前言 | 第15-19页 |
| ·研究背景和意义 | 第15-16页 |
| ·研究目的 | 第16-17页 |
| ·结构安排和内容提要 | 第17-19页 |
| 第二章 文献综述 | 第19-45页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·直拉单晶硅中的氧和本征点缺陷 | 第20-27页 |
| ·直拉单晶硅的生长 | 第20-22页 |
| ·直拉单晶硅中氧的基本性质 | 第22-24页 |
| ·直拉单晶硅中本征点缺陷的基本性质 | 第24-27页 |
| ·杂质与本征点缺陷的相互作用 | 第27-35页 |
| ·杂质对硅中本征点缺陷形成的影响 | 第27-30页 |
| ·杂质对硅中点缺陷复合体的影响 | 第30-33页 |
| ·点缺陷对硅中杂质原子的影响 | 第33-35页 |
| ·直拉单晶硅中的氧扩散 | 第35-38页 |
| ·直拉单晶硅中的氧扩散机制 | 第35-36页 |
| ·氧扩散的影响因素 | 第36-38页 |
| ·直拉单晶硅中的氧沉淀 | 第38-45页 |
| ·直拉单晶硅中氧沉淀的形成 | 第39-41页 |
| ·高温快速热处理对氧沉淀的影响 | 第41-42页 |
| ·杂质对氧沉淀形成的影响 | 第42-45页 |
| 第三章 实验样品和研究方法 | 第45-52页 |
| ·实验样品及其制备 | 第45-47页 |
| ·实验样品的基本参数 | 第45-46页 |
| ·样品制备 | 第46-47页 |
| ·研究方法 | 第47-52页 |
| ·实验设备 | 第47-48页 |
| ·测试设备和方法 | 第48-51页 |
| ·第一性原理计算 | 第51-52页 |
| 第四章 重掺杂和共掺杂对直拉单晶硅中氧扩散的影响及其物理机制 | 第52-71页 |
| 摘要 | 第52页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验及计算方法 | 第53-54页 |
| ·共掺锡对氧扩散影响的计算研究 | 第53-54页 |
| ·重掺硼对氧扩散影响的实验和计算方法 | 第54页 |
| ·重掺磷对氧扩散影响的计算方法 | 第54页 |
| ·锡共掺杂对硅中氧扩散的影响 | 第54-60页 |
| ·锡掺杂导致的晶格膨胀和晶格应力对氧扩散的影响 | 第54-57页 |
| ·Sn-O之间相互作用对氧扩散的影响 | 第57-60页 |
| ·重掺硼对硅中氧扩散的影响 | 第60-65页 |
| ·重掺硼单晶硅中的异常氧扩散 | 第60-64页 |
| ·重掺硼单晶硅中异常氧扩散机制的第一性原理研究 | 第64-65页 |
| ·重掺磷对硅中氧扩散的影响机制的第一性原理研究 | 第65-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 锡共掺杂对直拉单晶硅中点缺陷及氧沉淀的影响 | 第71-92页 |
| 摘要 | 第71页 |
| ·引言 | 第71-72页 |
| ·实验及第一性原理计算方法 | 第72-74页 |
| ·材料基本参数和样品制备 | 第72-73页 |
| ·实验方法 | 第73-74页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第74页 |
| ·共掺锡对直拉单晶硅中氧沉淀的影响的实验表征 | 第74-81页 |
| ·共掺锡对直拉单晶硅中氧沉淀的影响 | 第74-79页 |
| ·共掺锡直拉单晶硅片的洁净区 | 第79-80页 |
| ·共掺锡对硅中氧外扩散的影响 | 第80-81页 |
| ·锡对硅中点缺陷产生和湮灭的影响 | 第81-85页 |
| ·第一性原理计算中所用的原子模型 | 第81页 |
| ·锡对空位形成能的影响 | 第81-82页 |
| ·锡对自间隙硅原子形成能的影响 | 第82-84页 |
| ·锡对空位-自间隙原子复合湮灭的影响 | 第84-85页 |
| ·锡与硅中空位相关缺陷复合体的相互作用 | 第85-87页 |
| ·锡对双空位及空位-氧复合体形成的影响 | 第85-86页 |
| ·锡对空位相关复合体演化的影响 | 第86-87页 |
| ·锡与空位相关复合体的结合能 | 第87页 |
| ·锡对点缺陷及氧沉淀影响的物理模型 | 第87-90页 |
| ·锡掺杂对点缺陷浓度的影响 | 第87-88页 |
| ·锡相关复合体的演化 | 第88-89页 |
| ·掺锡直拉单晶硅中氧沉淀的同质形核 | 第89页 |
| ·掺锡直拉单晶硅中氧沉淀的异质形核 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第六章 重掺硼对直拉单晶硅中氧沉淀的影响 | 第92-110页 |
| 摘要 | 第92页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·实验及第一性原理计算方法 | 第93-94页 |
| ·实验样品和实验方法 | 第93-94页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第94页 |
| ·重掺硼单晶硅中氧沉淀的表征 | 第94-102页 |
| ·SIRM在重掺硅硼单晶硅氧沉淀测量中的适用性 | 第94-96页 |
| ·氧沉淀随形核时间的变化 | 第96-97页 |
| ·氧沉淀随高温长大时间的变化 | 第97-99页 |
| ·高温热处理对原生及后续氧沉淀的影响 | 第99-102页 |
| ·重掺硼单晶硅中的氧沉淀的分析 | 第102-105页 |
| ·重掺硼单晶硅形成氧沉淀后的应力分析 | 第102-104页 |
| ·重掺硼单晶硅中氧沉淀的电镜分析 | 第104页 |
| ·重掺硼单晶硅在形核温度下的氧扩散 | 第104-105页 |
| ·重掺硼单晶硅中的氧沉淀形成机理讨论 | 第105-108页 |
| ·重掺硼对氧沉淀形核的影响 | 第105-106页 |
| ·重掺硼对硅中自间隙硅原子的影响 | 第106页 |
| ·重掺硼单晶硅中氧沉淀形核模型 | 第106-108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 第七章 重掺硼直拉单晶硅中的硼失活 | 第110-123页 |
| 摘要 | 第110页 |
| ·引言 | 第110-111页 |
| ·实验及第一性原理计算方法 | 第111-112页 |
| ·实验样品及方法 | 第111-112页 |
| ·理论计算 | 第112页 |
| ·高温快速热处理对硼电活性的影响 | 第112-115页 |
| ·RTP对重掺硼单晶硅中硼电活性的影响 | 第112-115页 |
| ·共掺锗对重掺硼单晶硅中硼电活性的影响 | 第115页 |
| ·常规热处理对硼电活性的影响 | 第115-118页 |
| ·点缺陷对重掺硼单晶硅中硼电活性影响机理的第一性原理研究 | 第118-121页 |
| ·本章小结 | 第121-123页 |
| 第八章 全文总结 | 第123-126页 |
| 参考文献 | 第126-145页 |
| 致谢 | 第145-147页 |
| 个人简介 | 第147-148页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第148-149页 |
