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宽带单片微波低噪声放大器的设计

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·单片微波集成电路概述第9-10页
   ·本研究课题的意义及国内外发展现状第10-12页
   ·本论文研究的主要内容第12-13页
第二章 宽带微波低噪声放大器基本理论第13-29页
   ·二端口网络的基本概念第13-17页
     ·S 参数的定义及物理意义第13-14页
     ·S 参数与反射系数的关系第14-15页
     ·S 参数与传输功率的关系第15-17页
   ·噪声理论第17-18页
   ·稳定性设计第18-19页
   ·偏置网络第19-21页
   ·匹配网络第21-22页
   ·宽带微波低噪声放大器的主要性能指标第22-27页
     ·稳定性第22-23页
     ·功率增益第23-24页
     ·噪声系数第24-25页
     ·端口驻波比第25页
     ·非线性特性第25-26页
     ·工作频带第26页
     ·动态范围第26-27页
   ·本章小结第27-29页
第三章 PHEMT MMIC 器件模型及工艺介绍第29-43页
   ·PHEMT 发展历史及电特性原理第29-32页
     ·PHEMT 发展历史第29-31页
     ·PHEMT 器件电特性原理第31-32页
   ·PHEMT MMIC 无源元件及模型第32-35页
     ·电阻模型第32-33页
     ·MIM 电容模型第33-34页
     ·平面螺旋电感第34-35页
     ·微带线第35页
   ·PHEMT MMIC 有源器件及模型第35-40页
     ·PHEMT 有源器件小信号等效电路模型及参数提取技术第36-38页
     ·PHEMT 有源器件大信号等效电路模型及参数提取技术第38页
     ·PHEMT 有源器件噪声等效电路模型及参数提取技术第38-40页
   ·PHEMT MMIC 工艺简介第40-42页
     ·MMIC 工艺概述第40页
     ·MMIC 制作关键工艺介绍第40-42页
   ·本章小结第42-43页
第四章 PHEMT MMIC 宽带单片低噪声放大器设计第43-63页
   ·PHEMT MMIC 宽带单片低噪声放大器设计指标第43-44页
   ·PHEMT MMIC 宽带单片低噪声放大器原理图设计及仿真第44-58页
     ·晶体管及工艺线的选择第44-45页
     ·总体电路设计方案第45页
     ·稳定性分析和设计第45-46页
     ·直流偏置电路的设计第46-48页
     ·匹配电路设计第48-53页
     ·电路附加结构的设计第53-54页
     ·原理图电路级联仿真第54-58页
   ·PHEMT MMIC 宽带单片低噪声放大器版图设计及仿真第58-62页
     ·电路布局第58-59页
     ·电磁仿真第59-60页
     ·原理图—版图设计及联合仿真第60-61页
     ·最终版图第61-62页
   ·本章小结第62-63页
第五章 PHEMT MMIC 宽带单片低噪声放大器实现与测试第63-69页
   ·PHEMT MMIC 宽带单片低噪声放大器的实现第63-64页
   ·PHEMT MMIC 宽带单片低噪声放大器的测试第64-68页
     ·稳定性测试第64页
     ·增益、增益平坦度和驻波的测试第64-66页
     ·噪声系数测量第66-67页
     ·饱和输出功率 Psat和 P1dB的测试第67-68页
     ·测试结果分析与展望第68页
   ·本章小结第68-69页
第六章 结束语第69-71页
致谢第71-73页
参考文献第73-76页
硕士期间学术成果第76-77页

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