EEPROM IP关键模块的优化设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第7-8页 |
| ·课题研究的现状 | 第8-9页 |
| ·论文内容安排 | 第9-11页 |
| 第二章 EEPROM 原理 | 第11-23页 |
| ·EEPROM 器件的结构 | 第11-13页 |
| ·EEPROM 单元的读和写 | 第13-18页 |
| ·EEPROM 单元中数据的读取 | 第13页 |
| ·EEPROM 单元中数据的写入 | 第13-14页 |
| ·EEPROM 的 Bit Cell 的读写控制 | 第14-17页 |
| ·EEPROM 单元的操作限制 | 第17-18页 |
| ·EEPROM IP 的结构 | 第18-21页 |
| ·存储矩阵结构 | 第19-20页 |
| ·译码电路结构 | 第20-21页 |
| ·可进行功耗优化的部分 | 第21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 电平转换器设计 | 第23-35页 |
| ·电平转换器功能 | 第23页 |
| ·几种常用的电平转换器 | 第23-29页 |
| ·Bootstrap 电平转换器 | 第23-27页 |
| ·传统电平转换器 | 第27-29页 |
| ·新型电平转换器设计 | 第29-34页 |
| ·六管电平转换器设计和仿真 | 第30-32页 |
| ·六管电路的进一步探索 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 灵敏放大器设计 | 第35-53页 |
| ·灵敏放大器的功能 | 第35-37页 |
| ·传统灵敏放大器 | 第37-38页 |
| ·单端灵敏放大器 | 第38-43页 |
| ·基于 MOS 管物理特性的灵敏放大器 | 第38-40页 |
| ·基于电容充放电特性的灵敏放大器 | 第40-41页 |
| ·电路仿真 | 第41-43页 |
| ·锁存性灵敏放大器设计与仿真 | 第43-52页 |
| ·两级反相器 | 第43-47页 |
| ·预充电灵敏放大器设计 | 第47-48页 |
| ·预充电灵敏放大器的优化和仿真 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-55页 |
| ·工作总结 | 第53-54页 |
| ·进一步的工作 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
