| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 ZnO材料概述 | 第11-19页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第11-15页 |
| ·ZnO材料的晶格结构 | 第11-13页 |
| ·ZnO材料的电学性质 | 第13页 |
| ·ZnO材料的光学性质 | 第13-14页 |
| ·ZnO材料的其它特性 | 第14-15页 |
| ·ZnO薄膜的应用及研究进展 | 第15-18页 |
| ·ZnO基紫外探测器 | 第15页 |
| ·ZnO基发光器件 | 第15-16页 |
| ·ZnO基压敏器件 | 第16-17页 |
| ·ZnO基透明电极 | 第17页 |
| ·ZnO基过渡层 | 第17-18页 |
| ·本论文中研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 2 ZnO薄膜的制备技术及表征方法 | 第19-35页 |
| ·制备ZnO薄膜的主要技术 | 第19-26页 |
| ·分子束外延(Molecular Beam Eptaixy) | 第19-20页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering) | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition) | 第21-22页 |
| ·超声喷雾热分解法(Ultrasonic Spray Pyrolysis) | 第22-23页 |
| ·溶胶-凝胶(Sol-Gel) | 第23-24页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第24-26页 |
| ·本文实验中采用的制备ZnO薄膜的设备 | 第26-30页 |
| ·沉积ZnO薄膜的MOCVD设备 | 第26-28页 |
| ·沉积ZnO薄膜的源材料的选择 | 第28页 |
| ·热退火设备简介 | 第28-30页 |
| ·ZnO薄膜的主要表征方法 | 第30-35页 |
| ·X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第30-31页 |
| ·光致发光谱(Photoluminescence,PL) | 第31页 |
| ·霍尔效应测试(Hall Effect) | 第31-32页 |
| ·原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM) | 第32-33页 |
| ·扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM) | 第33-35页 |
| 3 缓冲层的退火处理及其对外延ZnO薄膜性质的作用机制研究 | 第35-54页 |
| ·异质外延生长过程中缓冲层的作用 | 第35-36页 |
| ·蓝宝石衬底上ZnO薄膜的制备工艺 | 第36-39页 |
| ·退火温度对ZnO缓冲层性质的影响 | 第39-45页 |
| ·缓冲层结晶性质分析 | 第39-43页 |
| ·缓冲层光电性质分析 | 第43-44页 |
| ·缓冲层表面形貌分析 | 第44-45页 |
| ·缓冲层结晶性对外延ZnO薄膜性质的作用机制 | 第45-52页 |
| ·外延ZnO薄膜的结晶性质分析 | 第45-47页 |
| ·外延ZnO薄膜的电学性质分析 | 第47-48页 |
| ·外延ZnO薄膜的光学性质分析 | 第48-50页 |
| ·外延ZnO薄膜的表面形貌分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
