| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-19页 |
| ·电致变色材料 | 第7-11页 |
| ·电致变色材料的分类 | 第7-9页 |
| ·WO_3 电致变色薄膜 | 第9页 |
| ·其他电致变色薄膜 | 第9-10页 |
| ·WO_x 薄膜的改性研究 | 第10-11页 |
| ·电致变色机理 | 第11-13页 |
| ·色心模型 | 第11-12页 |
| ·价间电荷迁移模型 | 第12页 |
| ·极化模型 | 第12页 |
| ·自由载流子模型 | 第12-13页 |
| ·电致变色器件 | 第13-16页 |
| ·电致变色器件的结构 | 第13-14页 |
| ·电致变色器件的应用 | 第14-15页 |
| ·电致变色器件的研究现状 | 第15-16页 |
| ·常用的薄膜制备工艺 | 第16-17页 |
| ·溅射法 | 第16页 |
| ·蒸发法 | 第16-17页 |
| ·化学气相沉积法 | 第17页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第17页 |
| ·目前存在的问题 | 第17-18页 |
| ·本课题研究的目的和意义 | 第18-19页 |
| 2 溅射镀膜原理 | 第19-23页 |
| ·溅射机理及特点 | 第19-20页 |
| ·基本溅射类型 | 第20-23页 |
| ·直流溅射 | 第20-21页 |
| ·射频溅射 | 第21页 |
| ·反应溅射 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射 | 第22-23页 |
| 3 实验 | 第23-27页 |
| ·实验设备及材料 | 第23页 |
| ·薄膜的制备 | 第23-25页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第25-27页 |
| ·光学性能的检测 | 第25页 |
| ·循环使用寿命的评定 | 第25-26页 |
| ·响应时间的检测 | 第26页 |
| ·薄膜结构的表征 | 第26页 |
| ·薄膜的XPS 检测 | 第26-27页 |
| 4 WO_x:TI 薄膜的结构和电致变色性能 | 第27-40页 |
| ·工艺参数对WO_x薄膜光学性能的影响 | 第28-32页 |
| ·掺杂方式对WO_x 薄膜光学性能的影响 | 第30-31页 |
| ·掺杂量对WO_x 薄膜光学性能的影响 | 第31页 |
| ·通氧量对WO_x 薄膜光学性能的影响 | 第31页 |
| ·溅射功率对WO_x 薄膜光学性能的影响 | 第31-32页 |
| ·WO_x:TI 薄膜的记忆存储能力 | 第32页 |
| ·WO_x:TI 薄膜的响应时间 | 第32-33页 |
| ·WO_x:TI 薄膜的循环使用寿命 | 第33-35页 |
| ·WO_x:TI 薄膜的晶体结构 | 第35-36页 |
| ·进一步探讨 | 第36-39页 |
| ·WO_3:TI 薄膜的XPS | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 5 WO_x:NI 薄膜的电致变色性能研究 | 第40-49页 |
| ·掺杂量对WO_x:NI 薄膜光学性能的影响 | 第40-42页 |
| ·掺杂方式对WO_x:NI 薄膜电致变色性能的影响 | 第42-44页 |
| ·WO_x:NI 薄膜的电致变色性能 | 第44-46页 |
| ·WO_x:Ni 薄膜的记忆存储能力 | 第44页 |
| ·WO_x:Ni 薄膜的响应时间 | 第44-45页 |
| ·WO_x:Ni 薄膜的循环寿命 | 第45-46页 |
| ·WO_x:NI 薄膜的XPS 研究 | 第46-47页 |
| ·WO_3:NI 薄膜的晶体结构分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 6 掺杂WO_x薄膜的电致变色性能 | 第49-55页 |
| ·掺杂量的确定 | 第49-50页 |
| ·掺杂对WO_x薄膜光学性能的影响 | 第50页 |
| ·掺杂对WO_x薄膜记忆存储能力的影响 | 第50-52页 |
| ·掺杂对薄膜循环稳定性的影响 | 第52-53页 |
| ·掺杂薄膜的XRD 分析 | 第53-55页 |
| 7 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录 | 第61页 |