| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·MOSFET的按比例缩小 | 第8-11页 |
| ·栅介质的按比例缩小 | 第11-14页 |
| ·栅介质的漏电流和功率损耗 | 第11-14页 |
| ·SiO_2的极限问题 | 第14页 |
| ·用高k材料代替SiO_2作为栅介质的必要性及其特性需求 | 第14-22页 |
| ·高介电常数与高k/Si界面势垒 | 第15-18页 |
| ·高k材料与在Si上的热稳定性 | 第18-20页 |
| ·高k材料与Si的界面质量 | 第20-21页 |
| ·高k材料的薄膜形态 | 第21-22页 |
| ·工艺兼容性 | 第22页 |
| ·高k材料Er_2O_3 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第二章 Er_2O_3薄膜的生长技术和表征技术 | 第24-41页 |
| ·分子束外延技术 | 第24-25页 |
| ·设备 | 第25-27页 |
| ·薄膜生长 | 第27-30页 |
| ·Si片清洗 | 第27-28页 |
| ·Er_2O_3薄膜的生长 | 第28-30页 |
| ·表征技术 | 第30-40页 |
| ·原位检测装置 | 第30-34页 |
| ·材料特性测试 | 第34-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 Er_2O_3薄膜的生长及其结构和电学特性 | 第41-59页 |
| ·实验方法 | 第41-42页 |
| ·单晶Er_2O_3在Si(001)衬底上的生长 | 第42-49页 |
| ·Er_2O_3在Si(111)衬底上的外延生长以及SiO_2层对Er_2O_3生长的影响 | 第49-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 Er_2O_3/Si的能带偏移 | 第59-70页 |
| ·XPS实验方法 | 第60页 |
| ·用XPS方法确定Er_2O_3/Si能带偏移的原理 | 第60-61页 |
| ·Er_2O_3/Si价带偏移的确定 | 第61-64页 |
| ·Er_2O_3的禁带宽度和Er_2O_3/Si的导带偏移的确定 | 第64页 |
| ·讨论 | 第64-67页 |
| ·利用SRPES确定Er_2O_3/Si的价带偏移 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第五章 Er_2O_3初始生长情况的SRPES研究 | 第70-80页 |
| ·SRPES实验方法 | 第71页 |
| ·Er_2O_3的初始生长情况探索 | 第71-77页 |
| ·Er对Si氧化的催化作用 | 第71-76页 |
| ·Er和SiO_x的反应 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第六章 Al(Pt)/Er_2O_3/p-Si结构的FN隧穿 | 第80-88页 |
| ·场发射(FN隧穿)的基本理论 | 第80-81页 |
| ·金属/Er_2O_3/p-Si结构FN隧穿研究的必要性 | 第81-82页 |
| ·实验方法 | 第82页 |
| ·金属/Er_2O_3/p-Si结构的FN空穴隧穿 | 第82-87页 |
| ·本章小结 | 第87页 |
| 参考文献 | 第87-88页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
