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深亚微米工艺下Memory特征参数提取关键技术研究

第一章 序论第1-17页
   ·问题背景第6-7页
     ·集成电路发展趋势第6-7页
   ·MEMORY简介第7-10页
     ·memory分类第7-8页
     ·Memory结构第8页
     ·Memory存储单元简介第8-10页
   ·超深亚微米工艺下的互连线第10-16页
     ·互连线寄生参数第10-12页
     ·深亚微米工艺下的互连线延时模型简介第12-16页
   ·研究内容及文章安排第16-17页
第二章 MEMORY特征参数提取流程第17-20页
   ·MEMORY特征参数提取流程第17-20页
第三章 MEMORY特征参数及参数提取激励波形自动生成第20-40页
   ·MEMORY特征参数第20-25页
     ·Delay第20-21页
     ·Constraint timing第21页
     ·特定类型memory的timing参数第21-22页
     ·功耗第22-23页
     ·Memory特征参数示例第23-25页
   ·组合电路激励波形自动生成算法第25-32页
     ·D算法的基本概念第25-30页
     ·D算法的描述和实现第30-32页
   ·MEMORY激励波形的自动生成算法第32-37页
     ·求传输延迟时间参数的激励波形自动生成方法第33-35页
     ·求Constraint Timing参数的激励波形自动生成方法第35-37页
   ·激励波形实例及特征参数提取方法第37-40页
     ·激励波形实例第37-38页
     ·最小建立时间提取算法第38-39页
     ·最小保持时间提取算法第39-40页
第四章 互连线RLC网络电路精简第40-48页
   ·互连线网络压缩算法第40-42页
     ·基本定义第40-41页
     ·算法描述:第41-42页
   ·算法详细介绍第42-46页
     ·矩计算第42-45页
     ·矩匹配第45-46页
   ·实验结果第46-48页
第五章 MEMORY存储单元及外围电路精简第48-54页
   ·MEMORY非活动存储单元精简第48-51页
     ·Memory活动存储单元定位第48-50页
     ·Memory非活动单元精简处理第50-51页
   ·MEMORY地址译码及控制电路精简第51-54页
     ·晶体管归并第51-52页
     ·外围电路静止晶体管精简第52页
     ·实验结果第52-54页
第六章 总结与展望第54-56页
   ·论文总结第54页
   ·展望第54-56页
参考文献第56-58页
致谢第58页

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