| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·纳米粉体材料的特性 | 第8-10页 |
| ·等离子气相沉积的应用 | 第10页 |
| ·本文研究的目的、意义和基本内容 | 第10-12页 |
| 第二章 纳米Si_3N_4粉体特性及其制备 | 第12-24页 |
| ·氮化硅粉末的表面化学性质 | 第13-16页 |
| ·粉体团聚的产生和防止 | 第16-19页 |
| ·纳米Si_3N_4粉体制备技术 | 第19-22页 |
| ·等离子体化学气相沉积的概念 | 第22-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第三章 ICPECVD沉积纳米粉末原理及装置 | 第24-34页 |
| ·感应耦合等离子体原理 | 第24-28页 |
| ·ICPECVD制备纳米氮化硅的过程及其装置 | 第28-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 ICP等离子体参数诊断 | 第34-43页 |
| ·静电探针诊断原理 | 第34-38页 |
| ·静电探针诊断装置及其试验结果 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第五章 纳米Si_3N_4粉末的结构、性能测试分析 | 第43-53页 |
| ·纳米Si_3N_4粉末的TEM分析 | 第43-46页 |
| ·纳米Si_3N_4粉末的FFIR分析 | 第46-48页 |
| ·纳米Si_3N_4粉末的XRD分析 | 第48-50页 |
| ·纳米Si_3N_4粉末的激光散射分析 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第六章 纳米Si_3N_4粉末煅烧及其机理初步分析 | 第53-57页 |
| ·氮化硅煅烧试验 | 第53-55页 |
| ·氮化硅煅烧分析 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第七章 结论及展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 附录: 采用Matlab计算等离子体密度程序 | 第64-66页 |
| 发表待发表论文及专利 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |