| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1．1 引言 | 第9-12页 |
| 1．1．1 KTP晶体的性能和参数 | 第9-11页 |
| 1．1．2 KTP晶体的结构 | 第11-12页 |
| 1．2 KTP晶体的应用 | 第12-16页 |
| 1．2．1 晶体的非线性光学现象 | 第12-13页 |
| 1．2．2 KTP晶体的非线性光学应用 | 第13-14页 |
| 1．2．3 KTP晶体在电光方面的应用 | 第14-16页 |
| 1．3 KTP晶体的研究进展 | 第16-17页 |
| 1．4 问题的提出 | 第17-18页 |
| 1．4．1 KTP晶体电导率方面存在的问题 | 第17-18页 |
| 1．4．2 KTP晶体生长工艺方面存在的问题 | 第18页 |
| 1．5 研究目的 | 第18-19页 |
| 1．6 研究内容 | 第19-20页 |
| 1．6．1 研究降低KTP晶体电导率的机理和途径 | 第19页 |
| 1．6．2 研究生长工艺参数对高温溶液法生长KTP晶体的影响 | 第19页 |
| 1．6．3 研究KTP晶体的组份、结构与习性和性能之间的关系 | 第19-20页 |
| 第2章 低电导率KTP晶体生长的理论依据 | 第20-24页 |
| 2．1 高温溶液法生长的KTP晶体c向电导率高的机制 | 第20-21页 |
| 2．2 低电导率KTP晶体生长的理论依据 | 第21-23页 |
| 2．3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 掺质KTP晶体的生长 | 第24-38页 |
| 3．1 高温溶液法生长KTP晶体 | 第24-26页 |
| 3．2 掺质生长KTP晶体的原料与主要设备及仪器 | 第26-28页 |
| 3．2．1 掺质生长KTP晶体的原料 | 第26-27页 |
| 3．2．2 掺质生长KTP晶体的主要设备和仪器 | 第27-28页 |
| 3．3 掺质KTP晶体的生长工艺 | 第28-35页 |
| 3．3．1 掺质生长KTP晶体的原料配比与合成 | 第28-30页 |
| 3．3．2 研磨与高温预烧 | 第30-31页 |
| 3．3．3 测定溶液饱和温度 | 第31-32页 |
| 3．3．4 KTP晶体溶解度曲线和亚稳曲线的绘制 | 第32-33页 |
| 3．3．5 晶转程序和降温程序的设定 | 第33-34页 |
| 3．3．6 生长结束与晶体退火 | 第34-35页 |
| 3．4 生长结果 | 第35-37页 |
| 3．5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 KTP晶体生长习性、形貌与缺陷的研究 | 第38-49页 |
| 4．1 KTP晶体生长的驱动力 | 第38-39页 |
| 4．2 KTP晶体的生长机制 | 第39-41页 |
| 4．3 影响KTP晶体生长的因素 | 第41-44页 |
| 4．3．1 单晶炉温度场均匀性对KTP晶体生长的影响 | 第41-42页 |
| 4．3．2 籽晶对KTP晶体生长的影响 | 第42-43页 |
| 4．3．3 降温速度对KTP晶体生长的影响 | 第43-44页 |
| 4．4 KTP晶体的生长习性、形貌和缺陷 | 第44-48页 |
| 4．4．1 KTP晶体的生长习性和形貌 | 第44-46页 |
| 4．4．2 KTP晶体的缺陷 | 第46-48页 |
| 4．5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 掺质KTP晶体电导率和其它参数的测定 | 第49-58页 |
| 5．1 KTP晶体电导率的测定 | 第49-51页 |
| 5．1．1 样品加工 | 第49-50页 |
| 5．1．2 测定与计算KTP晶体的电导率 | 第50页 |
| 5．1．3 分析与讨论 | 第50-51页 |
| 5．2 掺质KTP晶体掺质含量、掺质系数的测定与计算 | 第51-55页 |
| 5．2．1 测试用样品溶液的配制 | 第52页 |
| 5．2．2 测定溶液中的掺质浓度 | 第52-53页 |
| 5．2．3 计算晶体的掺质离子浓度及分配系数 | 第53-54页 |
| 5．2．4 分析与讨论 | 第54-55页 |
| 5．3 掺质KTP晶体晶胞参数的测定 | 第55-56页 |
| 5．3．1 晶胞参数测试数据 | 第55页 |
| 5．3．2 分析与讨论 | 第55-56页 |
| 5．4 掺质KTP晶体透过曲线测定 | 第56-57页 |
| 5．4．1 掺质KTP晶体透过曲线 | 第56-57页 |
| 5．4．2 分析与讨论 | 第57页 |
| 5．5 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
