| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| §1.1 引言 | 第7页 |
| §1.2 垂直腔面发射激光器的发展状况 | 第7-9页 |
| §1.3 VCSEL的应用 | 第9-10页 |
| §1.4 本论文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 808nm高功率垂直腔面激光器的基本理论及设计 | 第12-18页 |
| §2.1 VCSEL的基本结构 | 第12页 |
| §2.2 VCSEL的基本理论 | 第12-14页 |
| §2.3 分布布拉格反射镜 | 第14-15页 |
| §2.4 半导体/超晶格布拉格反射镜的设计 | 第15-18页 |
| 第三章 VCSEL阵列制备工艺 | 第18-34页 |
| §3.1 氧化物隔离VCSEL阵列 | 第18-19页 |
| §3.2 光刻工艺 | 第19-21页 |
| §3.3 GaAs/AlGaAs的湿法刻蚀 | 第21-23页 |
| §3.4 选择性氧化实验研究 | 第23-29页 |
| §3.5 阵列低欧姆接触工艺研究 | 第29-34页 |
| 第四章 VCSEL阵列技术 | 第34-45页 |
| §4.1 VCSEL阵列的应用 | 第34页 |
| §4.2 氧化物隔离VCSEL阵列 | 第34-36页 |
| §4.3 VCSEL阵列光刻板设计 | 第36-38页 |
| §4.4 阵列器件测试 | 第38-40页 |
| §4.5 阵列中单元器件间热相互作用的分析 | 第40-43页 |
| §4.6 VCSELs器件特性测试 | 第43-45页 |
| 第五章 总结 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第50页 |