| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·光电子集成器件的发展现状 | 第10-11页 |
| ·新材料的研究对光电子集成的意义 | 第11-12页 |
| ·论文结构安排 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 第一性原理计算的理论基础和 CASTEP简介 | 第15-30页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第15-22页 |
| ·HOHENBERG-KOHN定理与KOHN-SHAM方程 | 第16-19页 |
| ·局域密度近似(LDA)与广义梯度近似(GGA) | 第19-21页 |
| ·Kohn-Sham方程平面波表达 | 第21-22页 |
| ·电子与离子相互作用膺势近似 | 第22-24页 |
| ·第一性原理的算法及 CASTEP软件特点 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 第三章 三元系材料 GaAs_(1-x)N_x、B_xGa_(1-x)Sb合金能隙及形成焓的理论研究 | 第30-55页 |
| ·理论基础 | 第30-37页 |
| ·晶胞组成介绍 | 第30-32页 |
| ·Vegard的定理 | 第32页 |
| ·建模方法和团簇近似 | 第32-35页 |
| ·半导体材料的能带结构和形成焓 | 第35-37页 |
| ·III-V化合物半导体的基本特征 | 第37-43页 |
| ·二元系的晶格结构 | 第37-38页 |
| ·GaAs，GaN，GaSb和 BSb的电子性质 | 第38-43页 |
| ·GaAsN材料的第一性原理计算 | 第43-47页 |
| ·GaAsN的晶格常数 | 第43-44页 |
| ·GaAsN的能带结构 | 第44-46页 |
| ·GaAsN的形成焓和总能量的计算 | 第46-47页 |
| ·BGaSb材料的第一性原理计算 | 第47-51页 |
| ·BGaSb的晶格常数 | 第47-48页 |
| ·BGaSb的能带结构 | 第48-50页 |
| ·BGaSb形成焓和总能量的计算 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第四章 含硼光电子材料的实验生长和测试 | 第55-66页 |
| ·BAlAs的外延生长和测试 | 第55-59页 |
| ·BAlAs/GaAs(001)生长的实验方案 | 第55-57页 |
| ·BAlAs/GaAs(001)的DCXRD测量结果分析 | 第57-59页 |
| ·BGaInAs的外延生长和测试 | 第59-62页 |
| ·BGaInAs/GaAs(001)的外延生长实验方案 | 第59-60页 |
| ·BGaInAs/GaAs(001)的DCXRD测量结果分析 | 第60-61页 |
| ·BGaInAs/GaAs(001)的SIMS测量结果分析 | 第61-62页 |
| ·BGaAs/GaAs和BGaInAs/GaAs多量子阱 | 第62-64页 |
| ·BGaAs/GaAs和BGaInAs/GaAs多量子阱生长的实验方案 | 第62-63页 |
| ·BGaAs/GaAs和BGaInAs/GaAs多量子阱DCXRD测量结果 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68页 |
