| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-15页 |
| 符号表 | 第15-16页 |
| 缩略词 | 第16-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-26页 |
| ·研究背景 | 第17-18页 |
| ·poly-Si TFT 建模的研究进展 | 第18-23页 |
| ·陷阱态密度 | 第18-19页 |
| ·电荷分布 | 第19-20页 |
| ·有效迁移率 | 第20-21页 |
| ·模型研究进展 | 第21-23页 |
| ·非晶TFT 建模的研究进展 | 第23页 |
| ·TFT 建模中的热点问题 | 第23-25页 |
| ·本文的主要内容 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第二章 本征沟道poly-Si TFT 的亚阈区和开启区电流模型 | 第26-41页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·低场有效迁移率 | 第26-28页 |
| ·Pao-Sah 模型和薄层电荷模型 | 第28-30页 |
| ·Pao-Sah 模型 | 第28-29页 |
| ·薄层电荷模型 | 第29-30页 |
| ·解析模型 | 第30-39页 |
| ·亚阈区 | 第30-33页 |
| ·开启区 | 第33-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 掺杂沟道poly-Si TFT 的开启区电流和栅电容模型 | 第41-55页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·Pao-Sah 模型和薄层电荷模型 | 第41-43页 |
| ·Pao-Sah 模型 | 第41-43页 |
| ·薄层电荷模型 | 第43页 |
| ·解析模型 | 第43-50页 |
| ·开启区电流模型 | 第43-46页 |
| ·开启区栅电容模型 | 第46-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 基于有效沟道迁移率poly-Si TFT 开启区电流模型 | 第55-65页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·开启区电流的数值计算 | 第55-56页 |
| ·基于多项式拟合的解析方法 | 第56-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 a-Si TFT 的开启区电流模型 | 第65-75页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·Pao-Sah 模型 | 第65-68页 |
| ·解析模型 | 第68-74页 |
| ·结果与讨论 | 第74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 a-IGZO TFT 的亚阈区和开启区电流模型 | 第75-83页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·基于表面势的亚阈区和开启区电流模型 | 第75-77页 |
| ·基于阈值电压的开启区电流模型 | 第77-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第七章 热载流子相关的直流电压应力可靠性及kink 效应 | 第83-93页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·Poly-Si TFT 的直流电压应力可靠性 | 第83-88页 |
| ·Pao-Sah 模型 | 第83-88页 |
| ·结果与讨论 | 第88页 |
| ·Poly-Si TFT 的Kink 效应 | 第88-92页 |
| ·解析模型 | 第89-92页 |
| ·结果与讨论 | 第92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-105页 |
| 附录 | 第105-120页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 附件 | 第123页 |
