| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·有机薄膜晶体管的发展和现状 | 第13-22页 |
| ·有机薄膜薄膜晶体管的应用 | 第22-23页 |
| ·当前有机薄膜晶体管研究中存在的主要问题 | 第23-26页 |
| ·载流子传输理论有待完善 | 第23-24页 |
| ·载流子迁移率尚须提高 | 第24页 |
| ·电极材料的开发及接触电阻的研究 | 第24-25页 |
| ·新型绝缘材料的开发及绝缘层／有机半导体层界面的研究 | 第25页 |
| ·OTFT 阈值电压的调控 | 第25页 |
| ·应用研究亟待加强 | 第25-26页 |
| ·本论文的主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 有机薄膜晶体管的原理、结构、材料和制备技术 | 第28-43页 |
| ·有机薄膜晶体管的原理和结构 | 第28-34页 |
| ·有机半导体的导电机理 | 第28-29页 |
| ·有机半导体的导电类型 | 第29页 |
| ·有机薄膜晶体管的原理和结构 | 第29-33页 |
| ·OTFT 的场效应迁移率的物理意义 | 第33-34页 |
| ·薄膜晶体管的一些重要的参数 | 第34-37页 |
| ·有机薄膜晶体管的有机半导体材料 | 第37-40页 |
| ·有机薄膜晶体管的绝缘层材料 | 第40页 |
| ·有机薄膜晶体管的制备工艺 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 绝缘层对有机薄膜晶体管的影响 | 第43-62页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·器件的结构 | 第44-46页 |
| ·制备工艺流程 | 第46-52页 |
| ·阳极氧化制备五氧化二钽绝缘层 | 第46-49页 |
| ·阳极氧化制备三氧化二铝绝缘层 | 第49-51页 |
| ·OTFT 有源层的制备 | 第51页 |
| ·OTFT 源、漏电极的制备 | 第51-52页 |
| ·绝缘层对有机薄膜晶体管性能的影响 | 第52-55页 |
| ·绝缘层对有机薄膜晶体管电学稳定性的影响 | 第55-57页 |
| ·阈值电压在连续栅偏压下的漂移 | 第55-56页 |
| ·阈值电压漂移量与栅偏压时间的关系 | 第56-57页 |
| ·不同绝缘层的pentacene-OTFT 的陷阱密度 | 第57-61页 |
| ·（MIS）结构的C-V 特性测试 | 第57-60页 |
| ·不同绝缘层的pentacene-MIS 结构的C-V 特性 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第四章 CuO 夹层的并五苯基薄膜晶体管的阈值电压的调控 | 第62-92页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·有机薄膜晶体管的制备 | 第63-64页 |
| ·有机薄膜晶体管的电学性能 | 第64-67页 |
| ·CuO 夹层的作用 | 第67-69页 |
| ·CuO 夹层与pentacene 的界面分析 | 第69-78页 |
| ·CuO 与Pentacene 的掺杂特性表征 | 第70-72页 |
| ·CuO 与Pentacene 界面的电荷转移研究 | 第72-73页 |
| ·CuO-embeded OTFT 的迁移率改善的原因分析 | 第73-76页 |
| ·不同CuO 夹层厚度对CuO-embeded OTFT 的迁移率和阈值电压的影响 | 第76-78页 |
| ·栅偏压V_(GSO) 对CuO-embeded OTFT 的迁移率和电阻的影响 | 第78-80页 |
| ·CuO-embeded OTFT 中CuO 夹层的电荷分离机制 | 第80-85页 |
| ·CuO-embeded OTFT 的阈值电压的调控 | 第85-88页 |
| ·被调控的阈值电压的稳定性 | 第88-90页 |
| ·小结 | 第90-92页 |
| 第五章 碘化亚铜/铝双层电极的有机薄膜晶体管 | 第92-100页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·器件的制备 | 第93-94页 |
| ·器件的性能的比较 | 第94-96页 |
| ·CuI 与pentacene 之间的掺杂特性研究 | 第96-97页 |
| ·CuI 与pentacene 和CuI 与Al 电极之间的电荷转移研究 | 第97-99页 |
| ·小结 | 第99-100页 |
| 结论 | 第100-103页 |
| 参考文献 | 第103-119页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 附件 | 第121页 |
