光刻工艺中聚酰亚胺层光阻减量和线宽均匀性研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 前言 | 第7-12页 |
·光刻的定义 | 第7-8页 |
·光刻的发展趋势 | 第8-11页 |
·论文工作的主要内容 | 第11-12页 |
第二章 光刻工艺的概述 | 第12-24页 |
·光刻原理和工艺流程 | 第12-20页 |
·光刻原理 | 第12页 |
·光刻的工艺流程 | 第12-20页 |
·光学原理介绍 | 第20-21页 |
·光刻胶的概述 | 第21-24页 |
第三章 聚酰亚胺层光阻涂布减量以及膜厚均匀的研究 | 第24-41页 |
·聚酰亚胺层工艺介绍 | 第24-30页 |
·其中涂布显影/曝光的细部介绍 | 第26-29页 |
·显影后检查 | 第29页 |
·光刻返工 | 第29-30页 |
·硬烘烤 | 第30页 |
·涂胶过程的解析分析 | 第30-31页 |
·设备参数与工艺研究 | 第31-40页 |
·影响膜厚的所有参数 | 第31-32页 |
·试验条件参数的选择 | 第32-33页 |
·实验过程和数据采集计划 | 第33-36页 |
·聚酰亚胺层光阻(PIMEL)泵设备介绍 | 第36-40页 |
·小结 | 第40-41页 |
第四章 步进曝光机对光刻均匀性研究 | 第41-53页 |
·照明均匀性研究 | 第41-46页 |
·曝光系统对照明均匀性的影响因素 | 第41-42页 |
·照明均匀性测试方法 | 第42-44页 |
·照明均匀性的调整 | 第44-46页 |
·汞灯的调整 | 第44-45页 |
·汞灯不在反射镜焦点上 | 第45-46页 |
·调焦系统 | 第46-47页 |
·对准系统 | 第47-52页 |
·自我量测测试介绍 | 第48-49页 |
·尼康的光路对准系统 | 第49-52页 |
·小结 | 第52-53页 |
第五章 显影处理对光刻线宽均匀性的影响 | 第53-59页 |
·显影工艺处理流程 | 第53-54页 |
·CPL 冷板温度与线宽的关系 | 第53页 |
·显影温度与线宽的关系 | 第53-54页 |
·显影均匀性参数的设定与调节 | 第54-58页 |
·概要 | 第54页 |
·硬件调节 | 第54-57页 |
·显影液喷头的类型 | 第57-58页 |
·小结 | 第58-59页 |
第六章:实验设计和结果 | 第59-77页 |
·试验目标 | 第59页 |
·实验参数的选择 | 第59-62页 |
·影响膜厚的所有参数 | 第59-60页 |
·试验条件参数的选择 | 第60-62页 |
·实验过程和数据采集计划 | 第62-63页 |
·实验结果 | 第63-75页 |
·光阻喷涂重量的确定 | 第63页 |
·调节膜厚的外形 | 第63-70页 |
·聚合反应后最终的光阻厚度变化 | 第70-71页 |
·光刻后的厚度与刻蚀后的厚度关系 | 第71-72页 |
·光刻后线宽的结果 | 第72-75页 |
·小结 | 第75-77页 |
参考文献 | 第77-79页 |
致谢 | 第79页 |