| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-16页 |
| 第1章 绪论 | 第16-35页 |
| ·LiNbO_3晶体简介 | 第16-17页 |
| ·LiNbO_3晶体结构及缺陷模型 | 第17-22页 |
| ·LiNbO_3晶体结构 | 第17-19页 |
| ·LiNbO_3晶体的本征缺陷 | 第19-20页 |
| ·LiNbO_3晶体的非本征缺陷 | 第20-22页 |
| ·LiNbO_3晶体的性能优化 | 第22-25页 |
| ·LiNbO_3晶体掺杂改性 | 第22-24页 |
| ·调节LiNbO_3晶体中的[Li]/[Nb]比 | 第24-25页 |
| ·LiNbO_3晶体的制备方法 | 第25-26页 |
| ·同成分铌酸锂晶体的制备方法 | 第25页 |
| ·近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法 | 第25-26页 |
| ·光折变效应机制及特点 | 第26-28页 |
| ·光学体全息存储 | 第28-32页 |
| ·光学体全息存储的原理及特点 | 第28-30页 |
| ·光学体全息存储的研究进展 | 第30-32页 |
| ·本论文选题意义及研究主要内容 | 第32-35页 |
| ·选题意义 | 第32-33页 |
| ·主要研究内容 | 第33-35页 |
| 第2章 晶体生长及试样制备 | 第35-50页 |
| ·掺杂剂的选择 | 第35-36页 |
| ·晶体生长 | 第36-45页 |
| ·原料及配比 | 第36-38页 |
| ·原料预烧结 | 第38-39页 |
| ·晶体生长设备 | 第39-40页 |
| ·晶体生长流程 | 第40-41页 |
| ·晶体生长工艺参数 | 第41-45页 |
| ·晶体的后处理 | 第45-48页 |
| ·晶体的极化 | 第45-48页 |
| ·晶体的氧化和还原处理 | 第48页 |
| ·晶体的加工 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 铟铁铜掺杂铌酸锂晶体的谱学性能及微观结构 | 第50-71页 |
| ·样品的X-射线粉末衍射 | 第50-56页 |
| ·X-射线粉末衍射测试 | 第50页 |
| ·X射线粉末衍射结果分析 | 第50-56页 |
| ·晶体的红外吸收光谱及其分析 | 第56-61页 |
| ·红外光谱测试 | 第57-60页 |
| ·OH~-吸收峰移动机理 | 第60-61页 |
| ·紫外-可见光吸收光谱 | 第61-68页 |
| ·紫外-可见吸收光谱测试 | 第61-65页 |
| ·吸收边移动机理 | 第65-68页 |
| ·居里温度 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第4章 铟铁铜掺杂铌酸锂晶体的光折变性能 | 第71-87页 |
| ·光折变效应的物理过程 | 第71-72页 |
| ·In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体中载流子输运模型 | 第72-74页 |
| ·光折变材料主要性能参数 | 第74-76页 |
| ·衍射效率与饱和折射率 | 第74页 |
| ·写入时间和擦除时间 | 第74-75页 |
| ·光折变灵敏度 | 第75页 |
| ·动态范围 | 第75-76页 |
| ·光折变性能测试 | 第76-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第5章 铟铁铜掺杂铌酸锂晶体的抗光损伤性能 | 第87-94页 |
| ·铌酸锂晶体的抗光损伤性能 | 第87-88页 |
| ·晶体的抗光损伤能力测试 | 第88-92页 |
| ·抗光损伤能力增强机理 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第6章 铟铁铜掺杂铌酸锂晶体的非挥发性存储性能 | 第94-101页 |
| ·非挥发性存储性能 | 第94页 |
| ·全息存储固定技术 | 第94-95页 |
| ·晶体非挥发性能测试 | 第95-99页 |
| ·测试结果分析 | 第99-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |