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径向三腔渡越时间振荡器理论与实验研究

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-13页
第1章 绪论第13-24页
   ·高功率微波概述第13-14页
   ·渡越辐射器件工作原理第14页
   ·渡越辐射器件研究现状第14-18页
   ·渡越辐射器件研究方法概述第18-21页
     ·渡越辐射器件束波互作用理论概述第18-20页
     ·渡越辐射器件谐振腔理论概述第20页
     ·数值模拟研究方法概述第20-21页
   ·发展趋势第21-22页
   ·本文的主要内容第22-24页
第2章 径向三腔渡越时间振荡器高频特性第24-47页
   ·引言第24页
   ·物理模型第24-27页
     ·栅网结构模型第24-25页
     ·边加载结构模型第25-27页
   ·色散方程第27-38页
     ·栅网结构色散方程第27-31页
     ·边加载结构色散方程第31-38页
   ·数值求解结果及分析第38-45页
     ·栅网结构数值求解结果第38-41页
     ·边加载结构数值求解结果第41-45页
   ·误差分析第45-46页
   ·小结第46-47页
第3章 径向三腔渡越时间振荡器一维理论分析第47-56页
   ·引言第47页
   ·一维理论第47-55页
     ·一维理论模型与束波互作用方程第47-49页
     ·与小信号理论的比较第49-52页
     ·径向三腔渡越时间振荡器一维理论分析第52-55页
   ·小结第55-56页
第4章 径向三腔渡越时间振荡器三维大信号理论分析第56-72页
   ·引言第56页
   ·物理模型第56-57页
   ·束波互作用方程第57-59页
   ·数值求解及分析第59-68页
     ·高频场拟合第59-62页
     ·渡越角θ_0的影响第62-63页
     ·调制系数A的影响第63-65页
     ·电子束初始能量W_0的影响第65-67页
     ·电子束初始位置的影响第67-68页
     ·边加载径向三腔渡越时间振荡器理论分析第68页
   ·电子运动轨迹第68-69页
   ·小结第69-72页
第5章 径向三腔渡越时间振荡器粒子模拟研究与设计第72-87页
   ·引言第72页
   ·CHIPIC程序简介第72-73页
   ·基本结构第73-75页
   ·模拟结果及分析第75-82页
     ·栅网结构第75-79页
     ·边加载结构第79-81页
     ·改进型边加载结构第81-82页
   ·参数的影响第82-86页
     ·电压的影响第82-83页
     ·束流的影响第83-85页
     ·电子束宽度的影响第85-86页
   ·小结第86-87页
第6章 径向三腔渡越时间振荡器初步实验设计第87-97页
   ·引言第87页
   ·栅网结构实验及总结第87-89页
   ·边加载结构实验设计第89-96页
     ·径向束流产生实验设计第90-93页
     ·径向束流诊断设计第93-95页
     ·结构设计第95-96页
   ·小结第96-97页
结论第97-100页
致谢第100-101页
参考文献第101-109页
攻读博士学位期间发表的论文第109页

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