| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第23-52页 |
| 1.1 脉冲等离子体工艺 | 第23-31页 |
| 1.1.1 高功率调制脉冲磁控溅射(MPPMS) | 第23-27页 |
| 1.1.2 等离子体基离子注入(PBⅡ) | 第27-29页 |
| 1.1.3 等离子体基低能离子注入(PBLEⅡ) | 第29-31页 |
| 1.2 脉冲等离子体与表面的相互作用 | 第31-44页 |
| 1.2.1 脉冲等离子体工艺等离子体特性 | 第31-33页 |
| 1.2.2 脉冲放电调制等离子体与表面的相互作用 | 第33-39页 |
| 1.2.3 脉冲鞘层动力学 | 第39-41页 |
| 1.2.4 等离子体鞘层保形性 | 第41-44页 |
| 1.3 脉冲等离子体工艺数值研究现状及存在的不足 | 第44-50页 |
| 1.4 本文研究目的与研究内容 | 第50-52页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第50-51页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第51-52页 |
| 2 MPPMS工艺放电等离子体模型及其在沉积薄膜中的应用 | 第52-78页 |
| 2.1 MPPMS放电等离子体整体模型 | 第52-64页 |
| 2.1.1 离化区域电势降 | 第56-58页 |
| 2.1.2 离化区域粒子平衡与能量平衡 | 第58-62页 |
| 2.1.3 模型拟合过程与敏感性分析 | 第62-64页 |
| 2.2 MPPMS放电沉积Cu薄膜模型与实验结果 | 第64-73页 |
| 2.2.1 MPPMS等离子体放电特性 | 第64-69页 |
| 2.2.2 MPPMS放电沉积Cu薄膜的显微结构 | 第69-73页 |
| 2.3 讨论 | 第73-76页 |
| 2.3.1 脉冲放电沉积薄膜等离子体参数评价方法 | 第73页 |
| 2.3.2 沉积薄膜显微结构控制 | 第73-76页 |
| 2.3.3 脉冲放电相比连续放电的优势 | 第76页 |
| 2.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 3 PBⅡ工艺脉冲鞘层动力学与改性效率 | 第78-93页 |
| 3.1 PBⅡ全脉冲周期等离子体流体模型 | 第78-82页 |
| 3.1.1 一维磁化等离子体扩散流体模型 | 第78-81页 |
| 3.1.2 一维磁化鞘层碰撞流体模型 | 第81-82页 |
| 3.2 PBⅡ工艺等离子体流体模型结果 | 第82-89页 |
| 3.2.1 单脉冲周期鞘层扩展和等离子体回复 | 第82-85页 |
| 3.2.2 考虑非均匀等离子体扩散的鞘层演化 | 第85-89页 |
| 3.3 讨论 | 第89-92页 |
| 3.3.1 多脉冲鞘层动力学与多脉冲平衡状态 | 第89-90页 |
| 3.3.2 脉冲注入相比连续注入的改性效率优势 | 第90-92页 |
| 3.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 4 PBLEⅡ全工艺过程等离子体特性与保形性表面改性 | 第93-114页 |
| 4.1 电子回旋共振(ECR)微波等离子体源放电特性 | 第93-97页 |
| 4.1.1 ECR微波放电等离子体整体模型 | 第93-96页 |
| 4.1.2 模型结果与实验诊断的比较 | 第96-97页 |
| 4.2 处理腔室中等离子体的扩散输运 | 第97-101页 |
| 4.2.1 二维磁化等离子体扩散流体模型 | 第97-100页 |
| 4.2.2 等离子体扩散分布模型结果 | 第100-101页 |
| 4.3 脉冲施加时间鞘层动力学与低能离子注入 | 第101-106页 |
| 4.3.1 二维磁化鞘层碰撞流体模型 | 第101-102页 |
| 4.3.2 鞘层扩展与低能离子注入模型结果 | 第102-106页 |
| 4.4 讨论 | 第106-112页 |
| 4.4.1 PBLEⅡ工艺保形性表面改性 | 第106-111页 |
| 4.4.2 PBLEⅡ相对PBⅡ的优势与区别 | 第111-112页 |
| 4.4.3 脉冲注入相比连续注入的保形性优势 | 第112页 |
| 4.5 本章小结 | 第112-114页 |
| 5 结论与展望 | 第114-117页 |
| 5.1 结论 | 第114-115页 |
| 5.2 创新点 | 第115-116页 |
| 5.3 展望 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-132页 |
| 附录A MPPMS放电沉积Cu薄膜反应速率系数和各粒子通量 | 第132-134页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-138页 |
| 作者简介 | 第138页 |
