| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 前言 | 第8-20页 |
| 1.1 分子印迹技术 | 第8-9页 |
| 1.1.1 分子印迹技术发展史 | 第8页 |
| 1.1.2 分子印迹技术的基本原理 | 第8-9页 |
| 1.2 分子印迹聚合物 | 第9-13页 |
| 1.2.1 分子印迹聚合物的分类 | 第9-10页 |
| 1.2.2 分子印迹聚合物的制备方法 | 第10-12页 |
| 1.2.3 分子印迹聚合物的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 分子印迹电化学传感器 | 第13-15页 |
| 1.3.1 阻抗型(电容型)传感器 | 第14页 |
| 1.3.2 电流型传感器 | 第14页 |
| 1.3.3 电位型传感器 | 第14-15页 |
| 1.3.4 电导型传感器 | 第15页 |
| 1.4 石墨烯 | 第15-17页 |
| 1.4.1 石墨烯的发展 | 第15-16页 |
| 1.4.2 石墨烯的性能 | 第16页 |
| 1.4.3 石墨烯的制备 | 第16-17页 |
| 1.4.4 石墨烯在电化学方面的应用 | 第17页 |
| 1.5 纳米金材料 | 第17-18页 |
| 1.6 赤藓红简介及检测方法 | 第18-19页 |
| 1.6.1 赤藓红色素简介 | 第18页 |
| 1.6.2 赤藓红检测方法的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.7 本课题主要研究内容及意义 | 第19-20页 |
| 1.7.1 本课题主要研究内容 | 第19页 |
| 1.7.2 本课题研究意义 | 第19-20页 |
| 2 材料与方法 | 第20-27页 |
| 2.1 试剂与仪器 | 第20-22页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第20页 |
| 2.1.2 主要溶液配制 | 第20-21页 |
| 2.1.3 实验仪器 | 第21-22页 |
| 2.2 实验方法 | 第22-27页 |
| 2.2.1 电极预处理 | 第23页 |
| 2.2.2 纳米金的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 氨基乙硫醇修饰的氧化石墨烯的制备 | 第24页 |
| 2.2.4 纳米金氨基乙硫醇修饰的还原氧化石墨的制备 | 第24页 |
| 2.2.5 分子印迹膜修饰的纳米金/氨基乙硫醇修饰的电极的制备 | 第24页 |
| 2.2.6 实验参数的优化 | 第24-25页 |
| 2.2.7 不同制备阶段修饰材料的表征 | 第25页 |
| 2.2.8 不同制备阶段修饰电极的表征 | 第25页 |
| 2.2.9 标准曲线绘制 | 第25-26页 |
| 2.2.10 分子印迹膜电极选择性实验 | 第26页 |
| 2.2.11 实际样品检测分析 | 第26-27页 |
| 3 结果与讨论 | 第27-42页 |
| 3.1 纳米材料的表征 | 第27-30页 |
| 3.2 分子印迹修饰电极的电聚合过程 | 第30-31页 |
| 3.3 实验过程参数优化 | 第31-35页 |
| 3.3.1 模板分子与功能单体比例的优化 | 第31-32页 |
| 3.3.2 聚合底液pH选择优化 | 第32页 |
| 3.3.3 电聚合圈数的优化 | 第32-33页 |
| 3.3.4 洗脱时间的优化 | 第33-34页 |
| 3.3.5 吸附时间的优化 | 第34-35页 |
| 3.4 分子印迹膜的表征 | 第35-37页 |
| 3.4.1 循环伏安表征 | 第35-36页 |
| 3.4.2 交流阻抗表征 | 第36-37页 |
| 3.5 扫描式电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)的表征 | 第37-38页 |
| 3.6 MIP/AuNPs/2-AET/RGO/GCE传感器印迹性能评价 | 第38-39页 |
| 3.7 标准曲线绘制 | 第39页 |
| 3.8 印迹膜电极重现性及稳定性研究 | 第39-42页 |
| 3.8.1 可重现性研究 | 第39-40页 |
| 3.8.2 稳定性研究 | 第40-41页 |
| 3.8.3 实际样品检测分析 | 第41-42页 |
| 4 结论 | 第42-43页 |
| 4.1 全文总结 | 第42页 |
| 4.2 论文的创新点 | 第42页 |
| 4.3 论文的不足之处 | 第42-43页 |
| 5 展望 | 第43-44页 |
| 6 参考文献 | 第44-53页 |
| 7 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第53-54页 |
| 8 致谢 | 第54页 |
