摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 半导体光催化剂研究概述 | 第11-13页 |
1.1.1 半导体光催化剂研究背景 | 第11页 |
1.1.2 光催化反应的基本原理 | 第11-13页 |
1.2 半导体材料光催化活性的影响因素 | 第13-15页 |
1.2.1 材料的能带结构 | 第13-14页 |
1.2.2 比表面积 | 第14-15页 |
1.2.3 晶面结构 | 第15页 |
1.3 半导体光催化剂的结构设计 | 第15-17页 |
1.3.1 离子掺杂 | 第15-16页 |
1.3.2 贵金属负载 | 第16页 |
1.3.3 碳材料复合 | 第16-17页 |
1.3.4 半导体材料复合 | 第17页 |
1.4 钒酸铋半导体光催化材料的研究进展 | 第17-24页 |
1.4.1 钒酸铋的晶体结构 | 第17页 |
1.4.2 钒酸铋的制备 | 第17-20页 |
1.4.3 钒酸铋在光催化领域的应用 | 第20-21页 |
1.4.4 钒酸铋异质结光催化剂的研究进展 | 第21-24页 |
1.5 本论文的选题意义和主要研究内容 | 第24-25页 |
第二章 RGO/Bi_4V_2O_(11)异质结光催化剂的制备及其可见光催化性能的研究 | 第25-36页 |
2.1 引言 | 第25-26页 |
2.2 实验部分 | 第26-28页 |
2.2.1 实验试剂 | 第26页 |
2.2.2 实验仪器 | 第26页 |
2.2.3 实验步骤 | 第26-27页 |
2.2.4 样品表征 | 第27页 |
2.2.5 光催化实验 | 第27-28页 |
2.2.6 循环实验 | 第28页 |
2.3 结果与讨论 | 第28-34页 |
2.3.1 XRD与Raman分析 | 第28-29页 |
2.3.2 SEM与TEM分析 | 第29-30页 |
2.3.3 DRS分析 | 第30页 |
2.3.4 光电流分析 | 第30-31页 |
2.3.5 RGO/Bi_4V_2O_(11)的光催化性能测试 | 第31-32页 |
2.3.6 RGO/Bi_4V_2O_(11)光催化剂的反应机理 | 第32-34页 |
2.4 本章小结 | 第34-36页 |
第三章 CdS/Bi_4V_2O_(11)异质结光催化剂的制备及其可见光催化性能研究 | 第36-49页 |
3.1 引言 | 第36-37页 |
3.2 实验部分 | 第37-39页 |
3.2.1 实验试剂 | 第37页 |
3.2.2 实验仪器 | 第37页 |
3.2.3 实验步骤 | 第37-38页 |
3.2.4 样品表征 | 第38页 |
3.2.5 光催化实验 | 第38页 |
3.2.6 循环实验 | 第38-39页 |
3.3 结果与讨论 | 第39-48页 |
3.3.1 XRD分析 | 第39页 |
3.3.2 SEM与TEM分析 | 第39-40页 |
3.3.3 DRS分析 | 第40-41页 |
3.3.4 光电流和BET分析 | 第41-42页 |
3.3.5 CdS/Bi_4V_2O_(11)光催化剂的性能测试 | 第42-45页 |
3.3.6 CdS/Bi_4V_2O_(11)光催化剂的反应机理 | 第45-48页 |
3.4 本章小结 | 第48-49页 |
第四章 Bi/BiVO_4异质结光催化剂的制备及其可见光催化性能的研究 | 第49-61页 |
4.1 引言 | 第49-50页 |
4.2 实验部分 | 第50-51页 |
4.2.1 实验试剂 | 第50页 |
4.2.2 实验仪器 | 第50页 |
4.2.3 实验步骤 | 第50-51页 |
4.2.4 样品表征 | 第51页 |
4.2.5 光催化实验 | 第51页 |
4.2.6 循环实验 | 第51页 |
4.3 结果与讨论 | 第51-59页 |
4.3.1 XRD分析 | 第52页 |
4.3.2 SEM与TEM分析 | 第52-53页 |
4.3.3 XPS分析 | 第53-54页 |
4.3.4 DRS分析 | 第54页 |
4.3.5 光电流分析 | 第54-55页 |
4.3.6 Bi/BiVO_4的光催化性能测试 | 第55-56页 |
4.3.7 Bi/BiVO_4光催化剂的反应机理 | 第56-59页 |
4.4 本章小结 | 第59-61页 |
第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
5.1 结论 | 第61页 |
5.2 展望 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-92页 |
致谢 | 第92-93页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及专利 | 第93页 |