| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-21页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·论文的背景及意义 | 第16-18页 |
| ·SRAM在嵌入式系统中的应用 | 第16页 |
| ·SRAM的发展趋势 | 第16-17页 |
| ·SRAM设计过程中的问题和挑战 | 第17-18页 |
| ·论文的主要工作及创新点 | 第18-19页 |
| ·论文的组织结构 | 第19-21页 |
| 第2章 SRAM的结构及关键技术介绍 | 第21-29页 |
| ·SRAM分类 | 第21-22页 |
| ·同步型SRAM | 第21页 |
| ·异步型SRAM | 第21-22页 |
| ·SRAM的结构 | 第22-25页 |
| ·SRAM存储单元的工作原理 | 第25-27页 |
| ·SRAM的写操作 | 第26-27页 |
| ·SRAM的读操作 | 第27页 |
| ·基于时延搜索的SRAM时序信息提取技术 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 SRAM的时序信息提取 | 第29-47页 |
| ·SRAM的时序信息 | 第29-31页 |
| ·时序信息模型 | 第31-35页 |
| ·线性模型 | 第31-32页 |
| ·非线性模型 | 第32页 |
| ·有效电流源模型(Effective Current Source Modeling，ECSM) | 第32页 |
| ·复合电流源模型(Composite Current Source Modeling，CCS) | 第32-35页 |
| ·基于时延搜索的SRAM时序约束信息提取 | 第35-42页 |
| ·dbSetup方法 | 第37-40页 |
| ·sdbSetup方法 | 第40-42页 |
| ·应用sdbSetup方法提取SRAM的建立时间 | 第42-44页 |
| ·实验结果分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 纳米尺度模型 | 第47-52页 |
| ·串扰产生的原因 | 第47页 |
| ·串扰的影响 | 第47-48页 |
| ·串扰模型 | 第48-50页 |
| ·简单模型 | 第49页 |
| ·ABCD矩阵级联模型 | 第49-50页 |
| ·CCS串扰噪声模型 | 第50页 |
| ·降低串扰的技术 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 总结和展望 | 第52-55页 |
| ·论文总结 | 第52页 |
| ·展望 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 攻读学位期间发表/录用的学术论文 | 第58页 |
| 攻读学位期间申请/授权的发明专利 | 第58页 |