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65nm SRAM的设计

致谢第1-6页
摘要第6-7页
Abstract第7-14页
1 绪论第14-20页
   ·计算机与存储器第14-15页
   ·存储器的分类第15-18页
     ·非易失性存储器第16页
     ·易失性存储器第16-18页
   ·先进半导体制造工艺带来的挑战第18页
   ·研究内容与创新点第18-20页
2 SRAM操作简介第20-24页
   ·SRAM概述第20-21页
   ·SRAM数据保持操作第21-22页
   ·SRAM写操作第22-23页
   ·SRAM读操作第23-24页
3 SRAM存储单元第24-30页
   ·4T2R存储单元第24-25页
   ·6T CMOS存储单元第25-27页
   ·其它形式的存储单元第27-28页
   ·存储单元的设计第28-30页
4 SRAM译码电路第30-42页
   ·logical effort理论第30-31页
   ·动态逻辑译码电路第31-32页
   ·Johnson对称或非门第32-33页
   ·译码电路的设计第33-42页
     ·使用logical effort理论设计最优译码电路第33-34页
     ·多级译码第34-36页
     ·使用非对称的逻辑门第36-38页
     ·译码电路总体架构第38-42页
5 SRAM灵敏放大器第42-53页
   ·简介第42页
   ·常用灵敏放大器第42-48页
     ·灵敏放大器类型1第43页
     ·灵敏放大器类型2第43-44页
     ·灵敏放大器类型3第44-45页
     ·灵敏放大器类型4第45-47页
     ·灵敏放大器类型5第47-48页
   ·灵敏放大器的设计第48-53页
     ·各种灵敏放大器的性能比较第48-49页
     ·放大器参数的确定第49-53页
6 SRAM时钟电路第53-64页
   ·最简单的SRAM时钟电路第53-54页
   ·经典SRAM时钟电路第54-57页
   ·时钟电路的设计第57-64页
     ·两种放电技术的比较第57-62页
     ·时钟信号的产生第62-64页
7 SRAM多路选择器第64-83页
   ·电流型SRAM多路选择器第64-65页
   ·多路选择器的研究及设计第65-83页
     ·一级SRAM多路选择器第65-67页
     ·二级SRAM多路选择器第67-70页
     ·多路选择器的尺寸第70-72页
     ·128x8阵列的多路选择器第72-75页
     ·多路选择架构的比较第75-83页
8 系统版图设计及仿真结果第83-88页
   ·系统版图设计第84-85页
   ·仿真结果第85-88页
9 总结与展望第88-90页
参考文献第90-94页
攻读学位期间所取得的科研成果第94页

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