| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-66页 |
| 1.1 高压技术发展历程 | 第12-23页 |
| 1.1.1 高压电阻测试 | 第13-15页 |
| 1.1.2 高压同步辐射测试 | 第15-17页 |
| 1.1.3 高压磁化率测试 | 第17-19页 |
| 1.1.4 高压霍尔电阻测试 | 第19-20页 |
| 1.1.5 高压标定技术 | 第20-23页 |
| 1.2 拓扑电子材料 | 第23-36页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体 | 第23-32页 |
| 1.2.2 Dirac半金属材料 | 第32-36页 |
| 1.3 过渡金属三硫属化合物MX3体系研究进展 | 第36-56页 |
| 1.3.1 MX3体系晶格结构和物理性质 | 第37-41页 |
| 1.3.2 MX3体系高压下研究进展 | 第41-56页 |
| 1.4 本论文的选题背景,研究目的和意义 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 第二章 Sn掺杂的Bi_(1.1)Sb_(0.9)Te_2S中压力诱导的拓扑绝缘体到金属转变和超导电性 | 第66-82页 |
| 2.1 引言 | 第66-67页 |
| 2.2 材料制备和研究方法 | 第67-68页 |
| 2.3 实验结果和讨论 | 第68-78页 |
| 2.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第三章 第二类Dirac半金属PtSe_2压力效应研究 | 第82-91页 |
| 3.1 引言 | 第82页 |
| 3.2 单晶制备和高压实验方法 | 第82-83页 |
| 3.3 实验研究结果及讨论 | 第83-88页 |
| 3.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第四章 TiS_3中压力诱导绝缘态的异常增强和等结构相变 | 第91-102页 |
| 4.1 引言 | 第91-92页 |
| 4.2 材料制备和研究方法 | 第92-93页 |
| 4.2.1 单晶制备和表征 | 第92页 |
| 4.2.2 高压实验方法 | 第92-93页 |
| 4.2.3 第一性原理计算方法 | 第93页 |
| 4.3 实验结果和讨论 | 第93-98页 |
| 4.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第105-107页 |
