| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.1.1 存储器的类型 | 第10页 |
| 1.1.2 存储器工作的辐射环境 | 第10-11页 |
| 1.2 反熔丝PROM的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要工作及内容安排 | 第12-14页 |
| 第二章 PROM的设计 | 第14-31页 |
| 2.1 PROM整体结构概述 | 第14页 |
| 2.2 存储单元的设计 | 第14-18页 |
| 2.2.1 反熔丝单元的设计 | 第15-17页 |
| 2.2.2 存储单元的设计 | 第17-18页 |
| 2.3 读出系统的设计 | 第18-25页 |
| 2.3.1 地址译码电路的设计 | 第18-19页 |
| 2.3.2 地址检测电路的设计 | 第19-20页 |
| 2.3.3 脉冲宽度调整电路的设计 | 第20-21页 |
| 2.3.4 控制信号产生电路的设计 | 第21-22页 |
| 2.3.5 灵敏放大器的设计 | 第22-23页 |
| 2.3.6 锁存器的设计 | 第23-24页 |
| 2.3.7 双向数据端口的设计 | 第24-25页 |
| 2.4 编程系统的设计 | 第25-28页 |
| 2.4.1 编程控制电路的设计 | 第25-26页 |
| 2.4.2 振荡电路的设计 | 第26-27页 |
| 2.4.3 电荷泵的设计 | 第27-28页 |
| 2.5 烧录器的设计 | 第28-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 PROM的仿真与测试 | 第31-50页 |
| 3.1 PROM读出系统的仿真 | 第31-37页 |
| 3.1.1 仿真平台简介 | 第31-32页 |
| 3.1.2 读出系统的工作模式 | 第32页 |
| 3.1.3 读出系统的仿真方案 | 第32-35页 |
| 3.1.4 读出系统的仿真结果与分析 | 第35-37页 |
| 3.2 PROM编程系统的仿真 | 第37-40页 |
| 3.2.1 编程系统的组成 | 第38页 |
| 3.2.2 编程系统的仿真方案 | 第38-39页 |
| 3.2.3 编程系统的仿真结果与分析 | 第39-40页 |
| 3.3 MOS器件的测试 | 第40-46页 |
| 3.3.1 测试平台与流程 | 第41-44页 |
| 3.3.2 测试数据及分析 | 第44-46页 |
| 3.4 电路模块的测试 | 第46-48页 |
| 3.4.1 测试平台与流程 | 第47页 |
| 3.4.2 测试数据及分析 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 PROM的抗辐射加固 | 第50-67页 |
| 4.1 集成电路辐射效应概述 | 第50-51页 |
| 4.1.1 单粒子效应 | 第50-51页 |
| 4.1.2 总剂量效应 | 第51页 |
| 4.2 抗辐射加固技术 | 第51-55页 |
| 4.2.1 环栅加固技术 | 第52-53页 |
| 4.2.2 保护环加固技术 | 第53-54页 |
| 4.2.3 基于DICE锁存电路的加固技术 | 第54-55页 |
| 4.3 总剂量辐射实验 | 第55-65页 |
| 4.3.1 实验简介 | 第55-57页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第57-61页 |
| 4.3.3 中带电压法分离辐照感生电荷 | 第61-64页 |
| 4.3.4 SentaurusTCAD对辐照实验的模拟 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 工作总结 | 第67页 |
| 5.2 展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73页 |