| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1. 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 半导体异质结 | 第9-14页 |
| 1.1.1 半导体异质结的结构 | 第9-11页 |
| 1.1.2 半导体异质结的制备 | 第11-12页 |
| 1.1.3 半导体异质结的发展与应用 | 第12-13页 |
| 1.1.4 半导体异质结的光伏特效应 | 第13-14页 |
| 1.2 ZnO半导体纳米材料 | 第14-15页 |
| 1.2.1 ZnO的结构与性质 | 第14-15页 |
| 1.2.2 ZnO器件的应用 | 第15页 |
| 1.3 Cu_2O纳米半导体材料 | 第15-16页 |
| 1.4 ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结的研究介绍 | 第16-17页 |
| 1.5 本论文的选题背景及研究内容 | 第17页 |
| 1.6 本论文的创新点及研究意义 | 第17-19页 |
| 2 用水热合成法在FTO柔性衬底上制备ZnO纳米线 | 第19-38页 |
| 2.1 ZnO纳米线阵列的制备 | 第19-26页 |
| 2.1.1 水热合成ZnO纳米线阵列的生长机制 | 第19-20页 |
| 2.1.2 水热合成ZnO纳米线阵列的仪器设备 | 第20-21页 |
| 2.1.3 水热合成ZnO纳米线阵列的实验过程 | 第21-23页 |
| 2.1.4 水热合成ZnO纳米线阵列的实验参数 | 第23-26页 |
| 2.2 水热合成ZnO纳米线阵列的表征 | 第26-38页 |
| 2.2.1 水热合成ZnO纳米线阵列的形貌特征 | 第26-29页 |
| 2.2.2 磁控溅射时间对ZnO纳米线的影响 | 第29-33页 |
| 2.2.3 溶液浓度对水热合成ZnO纳米线的影响 | 第33-36页 |
| 2.2.4 药品摩尔比水热合成ZnO纳米线的影响 | 第36-38页 |
| 3. 三电极沉积法制备ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列及特性 | 第38-48页 |
| 3.1 三电极沉积法制备ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列 | 第38-41页 |
| 3.1.1 ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的生长机理 | 第38-39页 |
| 3.1.2 三电极沉积ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的实验仪器 | 第39页 |
| 3.1.3 三电极沉积ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的实验过程 | 第39-40页 |
| 3.1.4 三电极沉积ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的实验参数 | 第40-41页 |
| 3.2 三电极沉积制备的ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的表征 | 第41-48页 |
| 3.2.1 沉积电压对ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的影响 | 第41-44页 |
| 3.2.2 沉积时间对ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的影响 | 第44-48页 |
| 4 ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的光电特性研究 | 第48-54页 |
| 4.1 ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列IV特性的实验装置 | 第48-49页 |
| 4.2 ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的I-V特性 | 第49-50页 |
| 4.3 ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的光响应 | 第50-54页 |
| 4.3.1 ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结在太阳能电池中的应用 | 第50-51页 |
| 4.3.2 ZnO/Cu_2O纳米核壳异质结阵列的光响应性质测试 | 第51-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考 文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
