| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 GaN基LED的简述 | 第10-16页 |
| 1.2.1 GaN材料的发展及基本性质 | 第10-13页 |
| 1.2.2 GaN基LED器件的发展 | 第13-16页 |
| 1.3 GaN基LED薄膜的应力及其对LED性能的影响 | 第16-17页 |
| 1.4 GaN基LED薄膜应力的主要研究方法 | 第17-23页 |
| 1.4.1 高分辨率X射线衍射仪(HRXRD) | 第18-22页 |
| 1.4.2 GaN基LED的电致发光与光子发光 | 第22-23页 |
| 1.5 研究背景及意义 | 第23-24页 |
| 1.6 本文研究内容及行文安排 | 第24-26页 |
| 第2章 硅衬底GaN基LED薄膜转移至柔性粘结层基板后其应力及发光性能变化的研究 | 第26-38页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 实验方法 | 第27-30页 |
| 2.2.1 实验样品的制备 | 第27页 |
| 2.2.2 样品的测试 | 第27-30页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第30-37页 |
| 2.3.1 高分辨率X射线三轴晶衍射ω/2θ扫描分析 | 第30-32页 |
| 2.3.2 高分辨率X射线三轴晶衍射的倒易空间图谱分析 | 第32-36页 |
| 2.3.3 室温下光致发光(PL)光谱分析 | 第36-37页 |
| 2.4 本实验结论 | 第37-38页 |
| 第3章 硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流电致发光特性的研究 | 第38-53页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 实验方法 | 第38-42页 |
| 3.2.1 铜和硅支撑基板的制作方法 | 第38-39页 |
| 3.2.2 垂直结构LED芯片的制备 | 第39-40页 |
| 3.2.3 相关测试 | 第40-42页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第42-52页 |
| 3.3.1 不同温度的变电流EL光谱分析 | 第42-44页 |
| 3.3.2 变温EL光谱对比分析 | 第44-46页 |
| 3.3.3 两种基板芯片相对IQE对比分析 | 第46-52页 |
| 3.4 总结 | 第52-53页 |
| 第4章 总结 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第64页 |
