| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 研究背景与现状 | 第14-21页 |
| 1.1.1 太阳电池的分类 | 第14-15页 |
| 1.1.2 纳米硅太阳电池简介及研究进展 | 第15-19页 |
| 1.1.3 纳米硅薄膜材料缺陷控制的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.2 本文的主要工作 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 氢化纳米硅薄膜的制备、生长机理与表征分析手段 | 第26-60页 |
| 2.1 硅基材料的分类 | 第26-29页 |
| 2.1.1 单晶硅(c-Si) | 第26页 |
| 2.1.2 非晶硅(a-Si) | 第26-27页 |
| 2.1.3 氢化纳米硅(nc-Si:H) | 第27-28页 |
| 2.1.4 其他单晶/非晶混相硅基材料 | 第28-29页 |
| 2.2 常用的纳米硅薄膜制备方法及工艺 | 第29-34页 |
| 2.2.1 真空蒸发法 | 第29-31页 |
| 2.2.2 磁控溅射法 | 第31页 |
| 2.2.3 激光烧蚀法(LCVD) | 第31-32页 |
| 2.2.4 热丝化学气相沉积(HWCVD) | 第32-34页 |
| 2.3 PECVD法制备氢化纳米硅薄膜 | 第34-39页 |
| 2.3.1 PECVD的反应原理 | 第34-36页 |
| 2.3.2 PECVD沉积设备的主要结构 | 第36-39页 |
| 2.4 氢化纳米硅薄膜的生长机制 | 第39-44页 |
| 2.4.1 氢化纳米硅薄膜的微观生长机制 | 第39-41页 |
| 2.4.2 氢化纳米硅薄膜的宏观生长机制 | 第41-44页 |
| 2.5 氢化纳米硅薄膜的表征分析手段 | 第44-55页 |
| 2.5.1 微观结构形貌表征 | 第44-46页 |
| 2.5.2 光学表征 | 第46-53页 |
| 2.5.3 电学表征 | 第53-55页 |
| 2.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 第三章 氢对氢化纳米硅材料中氧杂质以及微结构的影响 | 第60-86页 |
| 3.1 引言 | 第60-61页 |
| 3.2 氢化纳米硅薄膜样品制备及表征 | 第61-63页 |
| 3.3 氢化纳米硅薄膜材料的微结构表征分析 | 第63-67页 |
| 3.4 氢化纳米硅薄膜材料的氢氧含量及成键方式 | 第67-73页 |
| 3.5 氢化纳米硅薄膜材料的微结构以及氧杂质结合机制 | 第73-80页 |
| 3.6 本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 第四章 外加直流偏压对氢化纳米硅材料的钝化作用 | 第86-107页 |
| 4.1 引言 | 第86-87页 |
| 4.2 氢化纳米硅薄膜样品制备及表征 | 第87-89页 |
| 4.3 直流偏压条件下制备样品的微结构表征分析 | 第89-92页 |
| 4.4 直流偏压对纳米硅薄膜材料的钝化作用 | 第92-94页 |
| 4.5 直流偏压对纳米硅薄膜材料氢氧含量的影响 | 第94-96页 |
| 4.6 直流偏压的钝化作用机理以及对材料表面形貌的影响 | 第96-101页 |
| 4.7 本章小结 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-107页 |
| 第五章 外加直流偏压对掺杂氢化纳米硅掺杂效率的影响 | 第107-120页 |
| 5.1 引言 | 第107页 |
| 5.2 掺杂氢化纳米硅样品的制备 | 第107-108页 |
| 5.3 直流偏压对样品掺杂效率调控的初步结果与讨论 | 第108-117页 |
| 5.3.1 直流偏压条件下制备掺杂样品性能参数表征 | 第108-109页 |
| 5.3.2 直流偏压对掺杂样品H/O/P元素含量的影响 | 第109-113页 |
| 5.3.3 直流偏压对掺杂样品P/Si结合态的影响 | 第113-115页 |
| 5.3.4 分析与讨论 | 第115-117页 |
| 5.4 本章小结 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-120页 |
| 第六章 总结与展望 | 第120-122页 |
| 6.1 结论与创新点 | 第120-121页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第121-122页 |
| 附录 | 第122-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 完成论文目录 | 第129-131页 |
