| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 存储器分类 | 第10-14页 |
| 1.2.1 半导体存储器 | 第11-12页 |
| 1.2.2 磁存储器 | 第12页 |
| 1.2.3 相变光存储器 | 第12-14页 |
| 1.3 光存储材料的分类 | 第14-17页 |
| 1.3.1 Ge-Sb-Te 系相变存储材料 | 第16-17页 |
| 1.3.2 AgInSbTe 系相变存储材料 | 第17页 |
| 1.4 相变光存储研究现状 | 第17-23页 |
| 1.5 论文研究目的及意义 | 第23-25页 |
| 第2章 实验方案和设备 | 第25-32页 |
| 2.1 实验内容 | 第25页 |
| 2.2 实验过程 | 第25-26页 |
| 2.3 实验样品制备 | 第26-27页 |
| 2.4 实验系统 | 第27页 |
| 2.5 实验设备 | 第27-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 纳秒激光辐照 α-GST 薄膜的晶化研究 | 第32-41页 |
| 3.1 30nm α-GST 薄膜结晶相组织和特征 | 第32-34页 |
| 3.2 80nm α-GST 薄膜的结晶相组织和特征 | 第34-36页 |
| 3.3 薄膜厚度对结晶相组织的影响 | 第36页 |
| 3.4 纳秒激光辐照 α-GST 薄膜结晶的过程解释 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 皮秒激光辐照 α-GST 薄膜的形貌和晶化特征研究 | 第41-51页 |
| 4.1 皮秒激光辐照 α-GST 薄膜的形貌研究 | 第41-45页 |
| 4.1.1 三维表面形貌研究 | 第41-43页 |
| 4.1.2 原子力局部形貌研究 | 第43-45页 |
| 4.1.3 表面形貌形成的理论分析 | 第45页 |
| 4.2 皮秒激光辐照 α-GST 薄膜结晶相组织和特征 | 第45-49页 |
| 4.2.1 150nm α-GST 薄膜结晶相组织和特征 | 第45-47页 |
| 4.2.2 30nm α-GST 薄膜结晶相组织和特征 | 第47-49页 |
| 4.2.3 薄膜厚度对结晶相组织的影响 | 第49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 结论与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
