| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 前言 | 第9-15页 |
| 1.1 940nm 半导体激光器的研究意义及研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2 半导体激光器热特性的研究意义及研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 940nm 激光器研究的要点 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 940nm 半导体激光器的工作原理 | 第15-23页 |
| 2.1 940nm 半导体激光器的工作原理 | 第15-18页 |
| 2.1.1 粒子数反转分布 | 第15-16页 |
| 2.1.2 谐振腔 | 第16-17页 |
| 2.1.3 光增益大于损耗 | 第17-18页 |
| 2.2 大功率半导体激光器的评估参数 | 第18-22页 |
| 2.2.1 阈值电流密度 | 第18-19页 |
| 2.2.2 工作效率 | 第19-21页 |
| 2.2.3 光束质量 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 940nm 半导体激光器的热特性研究 | 第23-35页 |
| 3.1 热传导模型及求解 | 第23-27页 |
| 3.1.1 热源模型 | 第23-24页 |
| 3.1.2 一维热传导模型 | 第24-25页 |
| 3.1.3 初始条件和边界条件 | 第25页 |
| 3.1.4 模型求解 | 第25-27页 |
| 3.2 热分布模拟及分析 | 第27-30页 |
| 3.3 940nm 半导体激光器的温度特性 | 第30-33页 |
| 3.3.1 温度对阈值电流的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.2 温度对输出功率的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.3 腔长对温度特性的影响 | 第33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第4章 工艺改进 | 第35-59页 |
| 4.1 940nm 半导体激光器的外延工艺介绍 | 第35-36页 |
| 4.2 940nm 半导体激光器的后工艺介绍 | 第36-43页 |
| 4.2.1 清洗 | 第36-37页 |
| 4.2.2 光刻 | 第37-42页 |
| 4.2.3 湿法腐蚀 | 第42页 |
| 4.2.4 PECVD | 第42-43页 |
| 4.2.5 溅射 | 第43页 |
| 4.3 工艺改进 | 第43-52页 |
| 4.3.1 湿法腐蚀 GaAs 工艺改进 | 第43-48页 |
| 4.3.2 GaAs 腐蚀深度 | 第48-51页 |
| 4.3.3 其他工艺细节的完善与研究 | 第51-52页 |
| 4.4 器件最终测试结果 | 第52-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 激光器在测试过程中热特性变化的进一步研究 | 第59-67页 |
| 5.1 弛豫时间概念的提出 | 第59页 |
| 5.2 实验验证 | 第59-61页 |
| 5.2.1 实验设计及装置 | 第59-60页 |
| 5.2.2 测试结果及分析 | 第60-61页 |
| 5.3 弛豫时间内激光器热特性的探究 | 第61-64页 |
| 5.3.1 驰豫时间内峰值波长的变化 | 第61-62页 |
| 5.3.2 驰豫时间内器件温度的变化 | 第62-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-67页 |
| 总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |