| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 SiC材料少子寿命的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第19-22页 |
| 第二章 少子寿命测试方法及原理 | 第22-42页 |
| 2.1 少子寿命的测试方法及理论 | 第22-25页 |
| 2.1.1 少数载流子的寿命 | 第22-24页 |
| 2.1.2 少数载流子寿命的测试方法 | 第24-25页 |
| 2.2 μ-PCD基本测试理论及仿真分析 | 第25-36页 |
| 2.3 半导体材料中本征缺陷的检测方法 | 第36-39页 |
| 2.3.1 ESR（电子自旋共振）简介 | 第36-38页 |
| 2.3.2 其他表征方法 | 第38-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-42页 |
| 第三章 热氧化与离子注入的实验方案 | 第42-52页 |
| 3.1 SiC材料热氧化的实验方案 | 第42-47页 |
| 3.1.1 热氧化方案介绍 | 第42-43页 |
| 3.1.2 热氧化结果及分析 | 第43-47页 |
| 3.2 C+离子注入实验 | 第47-51页 |
| 3.2.1 注入能量与剂量设计 | 第48-50页 |
| 3.2.2 C+离子注入实验方案 | 第50-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章C+离子注入 4H-SiC的实验结果与分析 | 第52-66页 |
| 4.1 C+离子注入对 4H-SiC材料ESR谱的影响 | 第52-60页 |
| 4.2 C+离子注入对 4H-SiC材料少子寿命的影响 | 第60-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-70页 |
| 5.1 工作总结 | 第66-67页 |
| 5.2 不足与展望 | 第67-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |