CMOS射频功放关键技术的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 论文的研究内容与安排 | 第12-13页 |
| 第二章 射频功率放大器 | 第13-26页 |
| 2.1 射频功放简介 | 第13页 |
| 2.2 射频功放指标 | 第13-17页 |
| 2.2.1 饱和功率与1dB压缩点 | 第13-14页 |
| 2.2.2 三阶交调截点 | 第14-15页 |
| 2.2.3 邻信道功率比(ACPR) | 第15页 |
| 2.2.4 占用带宽(OBW) | 第15-16页 |
| 2.2.5 效率 | 第16页 |
| 2.2.6 稳定性 | 第16-17页 |
| 2.3 传统单管PA的模型 | 第17-19页 |
| 2.4 传统单管PA分类 | 第19-22页 |
| 2.4.1 CLASSA | 第19页 |
| 2.4.2 CLASSAB | 第19-21页 |
| 2.4.3 CLASSB | 第21页 |
| 2.4.4 CLASSC | 第21-22页 |
| 2.5 射频CMOS功放所面临的问题 | 第22-26页 |
| 2.5.1 工作电压 | 第22页 |
| 2.5.2 KNEE电压 | 第22-23页 |
| 2.5.3 负载变换 | 第23页 |
| 2.5.4 氧化层击穿 | 第23-24页 |
| 2.5.5 热载流子退化效应 | 第24-26页 |
| 第三章 射频功放的改进型技术分析 | 第26-33页 |
| 3.1 差分结构电路 | 第26-27页 |
| 3.2 CASCODE电路 | 第27-29页 |
| 3.3 自偏置电路 | 第29-30页 |
| 3.4 阻抗匹配电路 | 第30-32页 |
| 3.5 LOADPULL技术 | 第32-33页 |
| 第四章 功率放大器MOS器件等效模型分析 | 第33-41页 |
| 4.1 MOS模型大信号分析 | 第33-35页 |
| 4.2 功率放大器工作区 | 第35-36页 |
| 4.3 小信号互调失真分析 | 第36-37页 |
| 4.4 大信号互调失真分析 | 第37-40页 |
| 4.5 AB型功放性能与器件的性能之间的关系 | 第40-41页 |
| 第五章 全集成射频功放设计 | 第41-56页 |
| 5.1 电路设计方法 | 第41-42页 |
| 5.2 设计分析 | 第42-46页 |
| 5.2.1 BIAS偏置电路 | 第42-43页 |
| 5.2.2 放大电路 | 第43-45页 |
| 5.2.3 调制电路 | 第45-46页 |
| 5.2.4 CAPTANK电路 | 第46页 |
| 5.3 版图设计 | 第46-48页 |
| 5.3.1 匹配设计 | 第47-48页 |
| 5.3.2 寄生优化设计 | 第48页 |
| 5.4 电路仿真结果与分析 | 第48-53页 |
| 5.4.1 偏置电压 | 第48-49页 |
| 5.4.2 调制电路 | 第49页 |
| 5.4.3 静态电流 | 第49-50页 |
| 5.4.4 线性度 | 第50-51页 |
| 5.4.5 效率,功率增益 | 第51页 |
| 5.4.6 可变增益 | 第51-52页 |
| 5.4.7 稳定性 | 第52页 |
| 5.4.8 总结 | 第52-53页 |
| 5.5 测试结果 | 第53-56页 |
| 5.5.1 DC电流 | 第53页 |
| 5.5.2 输出功率 | 第53-54页 |
| 5.5.3 单位占用带宽(OBW) | 第54页 |
| 5.5.4 邻信道功率比(ACPR) | 第54-55页 |
| 5.5.5 总结 | 第55-56页 |
| 第六章 改进型CMOS射频功放 | 第56-61页 |
| 6.1 电路仿真结果及分析 | 第56-59页 |
| 6.1.1 自偏置CASCODE | 第56-57页 |
| 6.1.2 S参数与稳定性 | 第57-58页 |
| 6.1.3 效率,功率增益 | 第58页 |
| 6.1.4 输出功率 | 第58-59页 |
| 6.1.5 静态电流 | 第59页 |
| 6.2 总结 | 第59-61页 |
| 第七章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 7.1 总结 | 第61页 |
| 7.2 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
