| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| 1.1 引言 | 第7-9页 |
| 1.2 SiO_2作为栅介质材料的限制 | 第9-10页 |
| 1.2.1 MOSFET的缩小 | 第9页 |
| 1.2.2 SiO_2的不断减薄所遇到的问题 | 第9-10页 |
| 1.3 High k材料取代SiO_2成为必然趋势 | 第10-17页 |
| 1.3.1 High k材料替代SiO_2性能要求 | 第11-13页 |
| 1.3.2 High k材料的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.3 Hf基高k栅介质 | 第15-17页 |
| 1.4 SiC衬底 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 原子层淀积技术及其表征方法 | 第19-30页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 原子层淀积(ALD)技术 | 第19-23页 |
| 2.2.1 原子层淀积的原理 | 第19-21页 |
| 2.2.2 原子层淀积Hf基高k栅介质 | 第21-22页 |
| 2.2.3 原子层淀积的优势 | 第22-23页 |
| 2.3 高k栅介质的表征技术 | 第23-29页 |
| 2.3.1 椭偏测量(SE) | 第23-26页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第26-28页 |
| 2.3.3 MOS电容的电学测试 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 氮化的HfO_2为高k栅介质的Si MOS电容 | 第30-40页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验内容 | 第30-31页 |
| 3.3 实验结果及分析 | 第31-39页 |
| 3.3.1 XPS分析 | 第31-33页 |
| 3.3.2 椭偏分析(SE) | 第33-37页 |
| 3.3.3 电学性能的测试(C-V) | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 SiC为衬底的HfO_2 MOS结构 | 第40-51页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 实验内容 | 第41页 |
| 4.3 实验结果及分析 | 第41-49页 |
| 4.3.1 SiC的表面钝化处理对HfO_2/SiC界面的影响 | 第41-45页 |
| 4.3.2 SiC的表面钝化处理对电学参数的影响 | 第45-47页 |
| 4.3.3 不同的退火温度对样品的影响 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
