| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8页 |
| 1.2 开关类功率放大器的发展历程和研究现状 | 第8-10页 |
| 1.3 课题研究内容 | 第10页 |
| 1.4 论文结构和内容 | 第10-11页 |
| 1.5 本章小结 | 第11-12页 |
| 第二章 射频功率放大器的理论基础 | 第12-28页 |
| 2.1 射频功率放大器的主要指标 | 第12-20页 |
| 2.1.1 稳定性 | 第12-15页 |
| 2.1.2 功率增益 | 第15-16页 |
| 2.1.3 输出功率 | 第16-17页 |
| 2.1.4 效率 | 第17页 |
| 2.1.5 线性度 | 第17-20页 |
| 2.2 GaN HEMT 晶体管大信号模型 | 第20-23页 |
| 2.2.1 GaN HEMT 基本结构和工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 GaN HEMT 等效电路模型 | 第21页 |
| 2.2.3 GaN HEMT 大信号 I-V 特性 | 第21-23页 |
| 2.3 微带传输理论 | 第23-27页 |
| 2.3.1 传输线理论的实质 | 第23页 |
| 2.3.2 微带传输线结构 | 第23-24页 |
| 2.3.3 微带传输线方程 | 第24-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 开关类功率放大器的分类和特点 | 第28-40页 |
| 3.1 开关类功率放大器的分类和特点 | 第28-38页 |
| 3.1.1 D 类功率放大器的基本原理和特点 | 第28-30页 |
| 3.1.2 E 类功率放大器的基本原理和特点 | 第30-32页 |
| 3.1.3 F 类功率放大器的基本原理和特点 | 第32-35页 |
| 3.1.4 J 类功率放大器的基本原理和特点 | 第35-36页 |
| 3.1.5 Continuous F 类功率放大器的基本原理和特点 | 第36-38页 |
| 3.2 各类开关类功率放大器比较 | 第38-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 电流模式 D 类功率放大器的设计与仿真 | 第40-57页 |
| 4.1 一种新型 CMCD PA 设计方法 | 第40-41页 |
| 4.2 晶体管直流特性分析 | 第41-42页 |
| 4.3 晶体管负载牵引分析 | 第42-43页 |
| 4.4 匹配网络的设计 | 第43-47页 |
| 4.5 单路 F~(-1)类功率放大器的设计 | 第47-49页 |
| 4.6 整体电路的仿真与优化 | 第49-55页 |
| 4.7 仿真结果分析 | 第55-56页 |
| 4.8 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 双级 B+F 类功率放大器的设计与调试 | 第57-70页 |
| 5.1 双级高效功率放大器基本设计思路 | 第57-58页 |
| 5.2 晶体管直流特性分析 | 第58-59页 |
| 5.3 晶体管负载牵引分析 | 第59-60页 |
| 5.4 匹配网络设计 | 第60-64页 |
| 5.5 电路整体设计与仿真 | 第64-65页 |
| 5.6 双级高效功率放大器的制板 | 第65-67页 |
| 5.7 双级高效功率放大器的测试与调试 | 第67-69页 |
| 5.8 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |