| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-28页 |
| ·本文研究的背景和意义 | 第8-9页 |
| ·人工晶体的分类及其生长方法 | 第9-26页 |
| ·晶体材料的分类和α-A1_2O_3 晶体 | 第9-11页 |
| ·晶体生长方法 | 第11-13页 |
| ·熔体生长的方法 | 第13-17页 |
| ·α-A1_2O_3 系列晶体主要特性 | 第17-19页 |
| ·相关领域的国内外研究动态 | 第19-26页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第26-28页 |
| 第2章 光学浮区法晶体生长 | 第28-36页 |
| ·光学浮区法 | 第28-30页 |
| ·光学浮区法工艺流程 | 第30-33页 |
| ·粉料的准备 | 第30页 |
| ·料棒的制备 | 第30-31页 |
| ·光学浮区法晶体生长原理 | 第31-33页 |
| ·光学浮区法晶体生长设备及其应用 | 第33-35页 |
| ·晶体生长设备 | 第33-35页 |
| ·光学浮区炉的应用 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 A:A1_2O_3 (A=Cr, Fe, Ni) 晶体光学浮区法生长 | 第36-50页 |
| ·A:A1_2O_3 (A=Cr, Fe, Ni) 晶体的制备工艺 | 第36-38页 |
| ·制备工艺流程 | 第36页 |
| ·光学浮区法生长A:A1_2O_3 (A=Cr, Fe, Ni) 晶体 | 第36-38页 |
| ·生长过程中的影响因素 | 第38-47页 |
| ·原料棒 | 第38-39页 |
| ·熔区稳定性 | 第39-40页 |
| ·温场 | 第40-41页 |
| ·生长速率 | 第41页 |
| ·固液界面形状 | 第41-43页 |
| ·旋转速率 | 第43-44页 |
| ·加热功率 | 第44-46页 |
| ·生长阶段 | 第46-47页 |
| ·工艺参数优化 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 A:A1_2O_3 (A=Cr, Fe, Ni) 晶体性能表征 | 第50-62页 |
| ·A:A1_2O_3 (A=Cr, Fe, Ni) 晶体结构分析 | 第50-54页 |
| ·粉末XRD 分析 | 第50-52页 |
| ·晶体生长方向 | 第52-53页 |
| ·结晶质量 | 第53-54页 |
| ·A:A1_2O_3 (A=Cr, Fe, Ni) 晶体性能表征 | 第54-61页 |
| ·介电性能 | 第54-57页 |
| ·荧光光谱 | 第57页 |
| ·吸收光谱 | 第57-59页 |
| ·Raman 光谱 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 A:A1_2O_3 (A=Cr, Fe, Ni) 晶体缺陷的研究 | 第62-81页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·A:A1_2O_3 (A=Cr, Fe, Ni) 晶体的微观缺陷 | 第62-75页 |
| ·小角度晶界 | 第62-64页 |
| ·气泡包裹体 | 第64-67页 |
| ·胞状组织 | 第67-71页 |
| ·溶质尾迹 | 第71-74页 |
| ·第二相沉淀 | 第74-75页 |
| ·A:A1_2O_3 (A=Cr, Fe, Ni) 晶体腐蚀研究 | 第75-80页 |
| ·晶体腐蚀 | 第75-76页 |
| ·位错研究 | 第76-79页 |
| ·位错蚀坑 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 结论与展望 | 第81-83页 |
| 全文工作总结 | 第81页 |
| 本文的创新点 | 第81-82页 |
| 进一步研究工作和展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-90页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及申请的专利 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
