| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 太赫兹技术简介 | 第11页 |
| 1.3 太赫兹波调控技术简介 | 第11-15页 |
| 1.4 石墨烯太赫兹波调制器的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.5 论文研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 石墨烯的转移和表征 | 第19-25页 |
| 2.1 石墨烯的结构与性质 | 第19页 |
| 2.2 石墨烯的转移工艺优化研究 | 第19-22页 |
| 2.2.1 石墨烯薄膜的转移工艺 | 第20-21页 |
| 2.2.2 石墨烯薄膜转移工艺的优化 | 第21-22页 |
| 2.3 石墨烯的表征 | 第22-24页 |
| 2.3.1 光学显微镜分析 | 第22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜分析 | 第22-23页 |
| 2.3.3 拉曼光谱分析 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 石墨烯晶体管的研究 | 第25-46页 |
| 3.1 石墨烯晶体管的结构和原理 | 第25-26页 |
| 3.2 石墨烯晶体管的制备工艺 | 第26-34页 |
| 3.2.1 基片清洗 | 第26-27页 |
| 3.2.2 实验基本工艺介绍 | 第27-29页 |
| 3.2.3 晶体管制备工艺步骤 | 第29-32页 |
| 3.2.4 Al_2O_3薄膜的表征 | 第32-34页 |
| 3.3 石墨烯晶体管的测试 | 第34-41页 |
| 3.3.1 基本参数 | 第34-36页 |
| 3.3.2 三电极测试方法 | 第36-37页 |
| 3.3.3 测试结果分析 | 第37-41页 |
| 3.4 石墨烯晶体管的掺杂研究 | 第41-45页 |
| 3.4.1 石墨烯掺杂的分类 | 第41-42页 |
| 3.4.2 石墨烯晶体管的掺杂和结果分析 | 第42-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 基于石墨烯晶体管结构的太赫兹波调制器件设计分析 | 第46-66页 |
| 4.1 超材料结构的设计仿真 | 第46-49页 |
| 4.1.1 超材料的概念 | 第46页 |
| 4.1.2 超材料的仿真步骤 | 第46-47页 |
| 4.1.3 超材料的仿真结果 | 第47-49页 |
| 4.2 太赫兹波调制器的测试方法 | 第49-51页 |
| 4.2.1 时域光谱(TDS)测试系统 | 第49-50页 |
| 4.2.2 太赫兹波空间传输系统 | 第50-51页 |
| 4.3 基于石墨烯晶体管结构的背栅选频太赫兹波调制器 | 第51-55页 |
| 4.3.1 背栅选频太赫兹波调制器的原理和结构 | 第51-52页 |
| 4.3.2 背栅选频太赫兹波调制器的制备 | 第52-53页 |
| 4.3.3 背栅选频太赫兹波调制器的THz-TDS测试 | 第53-54页 |
| 4.3.4 背栅选频太赫兹波调制器的空间传输系统动态测试 | 第54-55页 |
| 4.4 基于石墨烯晶体管结构的背栅阵列式太赫兹波调制器 | 第55-61页 |
| 4.4.1 背栅阵列式太赫兹波调制器的原理和结构 | 第55-57页 |
| 4.4.2 背栅阵列式太赫兹波调制器的制备 | 第57-58页 |
| 4.4.3 背栅阵列式太赫兹波调制器的THz-TDS测试 | 第58-59页 |
| 4.4.4 背栅阵列式太赫兹波调制器的空间传输系统动态测试 | 第59-61页 |
| 4.5 石墨烯表面掺杂的太赫兹光学调制性能研究 | 第61-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 硕士期间所取得的研究成果 | 第73-74页 |
