| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 碳化硅材料简介 | 第10-12页 |
| 1.2 碳化硅功率PiN二极管的研究意义 | 第12-13页 |
| 1.3 碳化硅功率PiN二极管发展概况 | 第13-17页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 PiN二极管理论基础 | 第18-24页 |
| 2.1 正向导通特性 | 第18-19页 |
| 2.2 反向阻断特性 | 第19-21页 |
| 2.3 开关特性 | 第21-23页 |
| 2.4 本章总结 | 第23-24页 |
| 第三章 高压 4H-SiC PiN二极管结构设计 | 第24-53页 |
| 3.1 高压 4H-SiC二极管元胞结构设计 | 第24-30页 |
| 3.1.1 元胞基本结构 | 第24-26页 |
| 3.1.2 载流子寿命对 4H-SiC PiN二极管正向特性的影响 | 第26-27页 |
| 3.1.3 温度对 4H-SiC PiN二极管正向特性的影响 | 第27-30页 |
| 3.2 高压 4H-SiC二极管终端结构设计 | 第30-52页 |
| 3.2.1 各向异性碰撞电离模型 | 第30-35页 |
| 3.2.2 台面形貌对 4H-SiC PiN二极管击穿特性的影响 | 第35-41页 |
| 3.2.2.1 台面高度对 4H-SiC PiN二极管击穿特性的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.2.2 台面角度对 4H-SiC PiN二极管击穿特性的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.2.3 微沟槽对 4H-SiC PiN二极管击穿特性的影响 | 第38-41页 |
| 3.2.3 高压 4H-SiC PiN二极管JTE终端设计 | 第41-52页 |
| 3.2.3.1 单区JTE技术 | 第42-44页 |
| 3.2.3.2 双区JTE技术 | 第44-47页 |
| 3.2.3.3 空间电荷调制JTE技术 | 第47-51页 |
| 3.2.3.4 界面电荷的影响 | 第51-52页 |
| 3.3 本章总结 | 第52-53页 |
| 第四章 高压 4H-SiC PiN二极管实验研究 | 第53-67页 |
| 4.1 离子注入工艺 | 第53-55页 |
| 4.2 高压 4H-SiC PiN二极管工艺流程 | 第55页 |
| 4.3 高压 4H-SiC PiN二极管版图设计 | 第55-56页 |
| 4.4 高压 4H-SiC PiN二极管实验结果与测试分析 | 第56-65页 |
| 4.4.1 正向导通特性 | 第57-59页 |
| 4.4.2 反向阻断特性 | 第59-60页 |
| 4.4.3 反向恢复特性 | 第60-65页 |
| 4.4.3.1 反向电压的影响 | 第61-63页 |
| 4.4.3.2 正向电流的影响 | 第63-64页 |
| 4.4.3.3 电流变化斜率的影响 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第75-76页 |
