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基于钴硅化物电迁移现象的新电熔丝结构设计

文摘第2-3页
Abstract第3页
第1章 绪论第6-16页
    1.1 引言第6页
    1.2 熔丝技术分类及其发展趋势第6-13页
        1.2.1 Laser Fuse 激光熔丝第7-10页
        1.2.2 eFUSE第10-12页
        1.2.3 eFUSE 的基本结构介绍第12-13页
    1.3 本文的研究思路以及所作的工作第13-16页
第2章 现有eFUSE 技术介绍及参数分析第16-27页
    2.1 现有技术一第16-18页
    2.2 现有技术二第18-20页
    2.3 影响eFUSE 器件最终性能的主要参数分析第20-26页
        2.3.1 材料工艺因素第21-25页
        2.3.2 器件尺寸、几何形状、电极分布因素第25页
        2.3.3 编程条件因素第25-26页
    2.4 小结第26-27页
第3章 高性能eFUSE 器件新结构设计第27-36页
    3.1 研发方案构建第27-28页
    3.2 第一轮wafer 制造流程中eFUSE 结构、尺寸以及版图设计第28-32页
        3.2.1 测试结构A 简介第29-30页
        3.2.2 测试结构B 简介第30-31页
        3.2.3 测试结构C 简介第31-32页
    3.3 器件工艺制造流程第32-34页
    3.4 小结第34-36页
第4章 数据分析和结构筛选第36-51页
    4.1 熔丝测试方案设计第36-37页
        4.1.1 编程条件确定第36-37页
        4.1.2 初步测试方案第37页
    4.2 结果分析与讨论第37-47页
        4.2.1 数据和结果第37-46页
        4.2.2 讨论第46-47页
    4.3 优选结构设计和第二轮测试结果第47-50页
    4.4 小结第50-51页
第5章 可靠性验证第51-54页
    5.1 引言第51页
    5.2 可靠性测试方案第51-54页
第6章 结束语第54-56页
    6.1 本文工作的总结第54页
    6.2 下一步工作的展望第54-56页
参考文献第56-59页
致谢第59-60页
附件第60-65页
    附件一 图目录第60-62页
    附件二 表目录第62-63页
    附件三 攻读学位期间发表的学术论文目录第63-65页

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